9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的BSS5130AHZGT116，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BSS5130AHZGT116参考价格为0.47000美元。Rohm Semiconductor BSS5130AHZGT116封装/规格：BSS5130AHZ是SOT-23封装。您可以下载BSS5130AHZGT116英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BSS316NH6327XTSA1是MOSFET N-Ch 30V 1.4A SOT-23-3，包括BSS316系列，它们设计用于卷筒包装，零件别名如数据表注释所示，用于BSS316N BSS316NH6317XT H6327 SP000928948，提供单位重量功能，如0.050717 oz，安装样式设计用于SMD/SMT，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为500 mW，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为1 ns，上升时间为2.3 ns，Vgs栅源电压为+/-20 V，并且Id连续漏极电流为1.4A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.6V，Rds导通漏极-电源电阻为119mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为5.8ns，典型接通延迟时间为3.4ns，Qg栅极电荷为600pC，并且前向跨导Min为2.3S，并且信道模式为增强。
BSS316NH6327XT是MOSFET N-Ch 30V 1.4A SOT-23-3，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供典型的关断延迟时间功能，如5.8 ns，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，该器件还可以用作Si技术。此外，该系列为BSS316，器件的上升时间为2.3 ns，器件的漏极-源极电阻为160 mOhms，Qg栅极电荷为0.6 nC，Pd功耗为500 mW，零件别名为BSS316NH6327XTSA1 SP000928948，封装为卷筒，封装盒为SOT-23-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为1.4 A，下降时间为1 ns，配置为单一。
BSS44是由SGS-THOMSON制造的TRANS PNP 60V 5A TO-39。BSS44可提供TO-205AD、TO-39-3金属罐封装，是晶体管（BJT）-单体的一部分，并支持TRANS PNP 60V 5A TO-39、双极（双极）晶体管PNP 60A 80MHz 870mW通孔TO-39。
BSS46采用PH/EDA/CAD型号。BSS46采用CAN3封装，是晶体管（BJT）的一部分-单体。
