品牌介绍
东芝电子设备和存储公司提供了一系列支持技术解决方案，使OEM、ODM、CMs和无晶圆厂芯片公司能够为计算、网络、通信、数字消费、汽车和其他市场开发先进的集成产品。
久芯自营
原装正品 1片起订 快至当天发货
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A、7.4A 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥24.22026 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥24.22026 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2 N通道（半桥） 场效应管特性: 标准 供应商设备包装: 4-Chip LGA (1.59x1.59) 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥126.50449 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥126.50449 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 250毫安 供应商设备包装: CST6D 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥5.31629 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.31629 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 800毫安 供应商设备包装: ES6 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥1,225.09308 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,225.09308 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门，1.5V驱动 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A 供应商设备包装: 6-UDFNB (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.19790 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,593.70900 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: S-Mini | ¥1.52101 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.52101 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: VESM | ¥2.53502 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.53502 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: VESM | ¥2.53502 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.53502 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: VESM | ¥2.53502 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.53502 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: VESM | ¥2.53502 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.53502 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: VESM | ¥2.53502 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.53502 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: VESM | ¥2.53502 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.53502 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: VESM | ¥2.53502 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.53502 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: VESM | ¥2.53502 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.53502 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: VESM | ¥2.53502 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.53502 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: VESM | ¥2.53502 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.53502 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: VESM | ¥2.53502 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.53502 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SSM | ¥2.46259 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.46259 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SSM | ¥2.46259 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.46259 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SSM | ¥2.46259 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.46259 | 添加到BOM 立即询价 |