品牌介绍
东芝电子设备和存储公司提供了一系列支持技术解决方案，使OEM、ODM、CMs和无晶圆厂芯片公司能够为计算、网络、通信、数字消费、汽车和其他市场开发先进的集成产品。
久芯自营
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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 800 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 300兆赫 供应商设备包装: S-Mini | ¥0.81077 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,432.31000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: S-Mini | ¥2.46259 | 1729 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.46259 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: S-Mini | ¥2.46259 | 1099 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.46259 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SSM | ¥1.66587 | 80 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.66587 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SSM | ¥2.89716 | 2970 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.89716 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SC-70 | ¥1.36601 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.36601 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SSM | ¥2.89716 | 2950 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.89716 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SC-70 | ¥1.37760 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.37760 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SSM | ¥2.89716 | 2078 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.89716 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 800 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: S-Mini | ¥1.44496 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.44496 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门，1.8V驱动 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.5A（Ta） 供应商设备包装: UF6 工作温度: 150摄氏度 | ¥3.62145 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.62145 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A 供应商设备包装: 6-UDFN (2x2) | ¥3.40416 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.40416 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 170毫安 供应商设备包装: US6 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥2.10044 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.10044 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 200毫安 供应商设备包装: ES6 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥2.53502 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.53502 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100毫安 供应商设备包装: ES6（1.6x1.6） 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥0.52584 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,103.34000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 250毫安 供应商设备包装: ES6 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥1.35297 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥5,411.89600 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门，1.5V驱动 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 500毫安 供应商设备包装: US6 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥1.61879 | 20 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.61879 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 50V 漏源电流 (Id) @ 温度: 100毫安（Ta） 供应商设备包装: US6 工作温度: 150摄氏度 | ¥1.82883 | 60 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.82883 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100毫安 供应商设备包装: US6 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥3.76631 | 989 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.76631 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A, 3.2A 供应商设备包装: VS-8 (2.9x1.5) 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥12.70405 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.70405 | 添加到BOM 立即询价 |