品牌介绍
东芝电子设备和存储公司提供了一系列支持技术解决方案，使OEM、ODM、CMs和无晶圆厂芯片公司能够为计算、网络、通信、数字消费、汽车和其他市场开发先进的集成产品。
久芯自营
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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 供应商设备包装: CST3 | ¥0.38083 | 10000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,808.32000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 供应商设备包装: CST3 | ¥0.38083 | 10000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,808.32000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SSM | ¥2.75230 | 533 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.75230 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: S-Mini | ¥0.85487 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥0.85487 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门，1.2V驱动 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 250毫安（Ta） 供应商设备包装: ES6 工作温度: 150摄氏度 | ¥1.49059 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.49059 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 650毫安 (Ta) 供应商设备包装: 6-TSOP-F 工作温度: 150摄氏度 | ¥2.25037 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2.25037 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门，4V驱动 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A（Ta） 供应商设备包装: 6-TSOP-F 工作温度: 150摄氏度 | ¥3.40416 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.40416 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100毫安 供应商设备包装: ES6 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥0.44761 | 450 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.44761 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A 供应商设备包装: 6-UDFN (2x2) 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥3.33173 | 758 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.33173 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 300毫安 供应商设备包装: US6 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥1.88315 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.88315 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门，1.5V驱动 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 250毫安（Ta） 供应商设备包装: US6 工作温度: 150摄氏度 | ¥2.44593 | 13 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2.44593 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门，1.8V驱动 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Ta) 供应商设备包装: 6-DFN (2x2) 工作温度: 150摄氏度 | ¥3.76631 | 320 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.76631 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100毫安 供应商设备包装: ES6 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥3.25931 | 3975 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.25931 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 500毫安, 330毫安 供应商设备包装: ES6 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥3.40416 | 6750 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.40416 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 180毫安 供应商设备包装: ES6 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥1.21319 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.21319 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 供应商设备包装: CST3 | ¥2.46259 | 9990 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.46259 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 供应商设备包装: CST3 | ¥2.46259 | 9980 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.46259 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 供应商设备包装: CST3 | ¥2.46259 | 9900 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.46259 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 80 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 供应商设备包装: CST3 | ¥2.46259 | 9440 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.46259 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: S-Mini | ¥2.46259 | 2601 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.46259 | 添加到BOM 立即询价 |