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品牌介绍

自1974年以来,Central Semiconductor一直在全球制造用于电子产品的创新分立半导体。目前,设备包括标准和定制小信号晶体管、双极功率晶体管、MOSFET、二极管、整流器、保护设备、限流二极管、桥式整流器、晶闸管和碳化硅设备。Central的设备有行业标准的表面贴装和通孔封装、裸模、TLM(微型无铅模块™),和MDMs(多离散模块™)。Central作为一家始终按时交付最高质量产品的制造商,以及一家提供卓越增值服务的供应商,赢得了声誉。

英文全称: Central Semiconductor Corp

中文全称: 中央半导体

英文简称: Central

品牌地址: http://www.centralsemi.com/

久芯自营
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品牌型号
描述
价格
库存
交期
数量
操作
2N5245
2N5245
晶体管类别: n通道 额定电压: 30伏 供应商设备包装: TO-92-3

¥1,937.79444

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,937.79444

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2N3819
2N3819
晶体管类别: N通道JFET 额定电压: 25伏 供应商设备包装: TO-92-3

¥612.52046

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥612.52046

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2N4340
2N4340
晶体管类别: N通道JFET 额定电压: 50 V 频率: 1千赫兹 供应商设备包装: TO-18

¥773.14898

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥773.14898

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2N5486
2N5486
晶体管类别: N通道JFET 额定电压: 25伏 额定电流(单位:安培): 30毫安 频率: 400MHz 供应商设备包装: TO-92-3

¥343.02374

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥343.02374

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CP398X-CPDM303NH-CT
CP398X-CPDM303NH-CT
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.6A (Ta) 供应商设备包装: Die 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.74256

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.74256

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CP398X-CPDM303NH-WN
CP398X-CPDM303NH-WN
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.6A (Ta) 供应商设备包装: Die 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥20.70021

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥20.70021

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CP398X-CTLDM303N-CT
CP398X-CTLDM303N-CT
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.6A (Ta) 供应商设备包装: Die 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.53070

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥11.53070

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CP398X-CTLDM303N-WN
CP398X-CTLDM303N-WN
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.6A (Ta) 供应商设备包装: Die 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥20.88852

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥20.88852

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CP798X-CPDM302PH-CT
CP798X-CPDM302PH-CT
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.4A(Ta) 供应商设备包装: Die 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥29.42066

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥29.42066

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CP798X-CPDM302PH-WN
CP798X-CPDM302PH-WN
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.4A(Ta) 供应商设备包装: Die 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.93582

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥12.93582

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2N4858A
2N4858A
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 40伏 最大功率: 360毫瓦 电阻-RDS(On): 60 Ohms 供应商设备包装: TO-18 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度(TJ)

¥34.69349

567

5-7 工作日

- +

合计: ¥34.69349

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CP226V-2N4393-CM
CP226V-2N4393-CM
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 40伏 最大功率: 1.8瓦 电阻-RDS(On): 100欧姆 供应商设备包装: Die 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥151.32591

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥151.32591

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2N4416A
2N4416A
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 35伏 最大功率: 300毫瓦 供应商设备包装: TO-72 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度(TJ)

¥92.97566

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥92.97566

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CP406-CWDM3011N-CT
CP406-CWDM3011N-CT
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.93A (Ta) 最大功耗: 1.15W(Ta) 供应商设备包装: Die 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.47323

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥10.47323

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CP406-CWDM3011N-WN
CP406-CWDM3011N-WN
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.93A (Ta) 最大功耗: 1.15W(Ta) 供应商设备包装: Die 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥32.76688

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥32.76688

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2N2647
2N2647
输出电压: 6V 最大功耗: 300毫瓦 包装/外壳: TO-206AA、TO-18-3金属罐

¥37.65366

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥37.65366

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2N4851
2N4851
输出电压: 3V 最大功耗: 300毫瓦 包装/外壳: TO-206AA、TO-18-3金属罐

¥167.07789

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥167.07789

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2N4852
2N4852
输出电压: 5V 最大功耗: 300毫瓦 包装/外壳: TO-206AA、TO-18-3金属罐

¥101.50248

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥101.50248

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2N4853
2N4853
输出电压: 6V 最大功耗: 300毫瓦 包装/外壳: TO-206AA、TO-18-3金属罐

¥27.76399

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥27.76399

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2N4948
2N4948
THROUGH-HOLE UJT

¥102.63498

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥102.63498

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