Alpha and Omega Semiconductor,Inc.(简称AOS)是一家设计、开发和全球供应各种功率半导体的公司,包括一系列功率MOSFET和功率IC产品。AOS通过整合其在设备物理、工艺技术、设计和先进封装方面的专业知识来优化产品性能和成本,力求与众不同,其产品组合旨在满足高容量应用中不断增长的能效要求,包括便携式计算机、平板电视、电池组、,便携式媒体播放器和电源。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 24A(Tc) 最大功耗: 250W(Tc) 供应商设备包装: TO-247 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥32.81034 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥32.81034 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 500毫安 (Ta) 最大功耗: 280毫瓦(Ta) 供应商设备包装: SC-89-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.67987 | 1 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.67987 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 83A (Tc) 最大功耗: 36W (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.20655 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,619.64700 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A(Ta)、32A(Tc) 最大功耗: 5W (Ta), 28W (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN-EP (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.50182 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,509.07500 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 32A (Tc) 最大功耗: 28W(Tc) 供应商设备包装: 8-DFN-EP (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥0.98978 | 20070 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥4,948.89000 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Tc) 最大功耗: 104W(Tc) 供应商设备包装: TO-251A 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.05621 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10,696.74900 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.7A(Ta) 最大功耗: 350mW (Ta) 供应商设备包装: SC-70-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥0.95092 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,705.52000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 300伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.2A(Ta),4A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、33W(Tc) 供应商设备包装: 8-DFN-EP (3x3) 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.72695 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13,634.76000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 30V 24V 8DFN | ¥1.54346 | 30 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥4,630.38600 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 300伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 900毫安 (Ta), 2.5A (Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、25W(Tc) 供应商设备包装: 8-DFN-EP (3x3) 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.54803 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,740.12500 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A(Ta)、34A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、23W(Tc) 供应商设备包装: 8-DFN-EP (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥0.96323 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,816.16500 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Ta) 最大功耗: 2.8W(Ta) 供应商设备包装: 6-DFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.55599 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,667.97600 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Tc) 最大功耗: 208W(Tc) 供应商设备包装: TO-263(D2Pak) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥21.51141 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21.51141 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Ta) 最大功耗: 2.8W(Ta) 供应商设备包装: 6-DFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.55599 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,667.97600 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 100V 55A TO252 | ¥5.29818 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13,245.45250 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 75 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 268W(Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥5.30615 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,306.14900 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Tc) 最大功耗: 83W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥5.30615 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,306.14900 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Tc) 最大功耗: 31W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥5.30615 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,306.14900 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Ta) 最大功耗: 1.8W(Ta) 供应商设备包装: 6-DFN (1.6x1.6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥0.97562 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,853.71400 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Tc) 最大功耗: 192W(Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥4.64886 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,648.85500 | 添加到BOM 立即询价 |