品牌介绍
Alpha and Omega Semiconductor，Inc.（简称AOS）是一家设计、开发和全球供应各种功率半导体的公司，包括一系列功率MOSFET和功率IC产品。AOS通过整合其在设备物理、工艺技术、设计和先进封装方面的专业知识来优化产品性能和成本，力求与众不同，其产品组合旨在满足高容量应用中不断增长的能效要求，包括便携式计算机、平板电视、电池组、，便携式媒体播放器和电源。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MOSFET P-CH 30V 8DFN | ¥2.32497 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11,624.85500 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A（Tc） 最大功耗: 178W（Tc） 供应商设备包装: TO-251A 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.61392 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12,648.70950 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Tc) 最大功耗: 178W（Tc） 供应商设备包装: TO-252（DPak） 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.61392 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9,034.79250 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Ta） 最大功耗: 3.1W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.09899 | 30 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥6,296.97600 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Tc) 最大功耗: 56.8W (Tc) 供应商设备包装: TO-251-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.42088 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21,683.50400 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A（Tc） 最大功耗: 56.8W (Tc) 供应商设备包装: TO-251-3 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.33359 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9,334.36000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 32A (Ta), 32A (Tc) 最大功耗: 6.2W (Ta), 46W (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.33359 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,000.77000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15.5A（Ta） 最大功耗: 3.1W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.43218 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13,580.43750 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 19A（Ta） 最大功耗: 3.1W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.77394 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14,321.82000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 49A (Ta), 85A (Tc) 最大功耗: 6.2W (Ta), 119W (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.44318 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16,329.55200 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH 60V 28A 8DFN | ¥2.34518 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,035.53700 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Ta）、30A（Tc） 最大功耗: 3W (Ta), 23W (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN-EP (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.78031 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.78031 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Tc) 最大功耗: 25W（Tc） 供应商设备包装: TO-262F 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.44956 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,449.55800 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 85A (Tc) 最大功耗: 32.5W (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.34518 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,035.53700 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Ta), 30A (Tc) 最大功耗: 2.1W（Ta），50W（Tc） 供应商设备包装: TO-263（D2Pak） 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥5.44956 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,359.64640 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Ta）、50A（Tc） 最大功耗: 2.3W（Ta），50W（Tc） 供应商设备包装: TO-251A 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥2.35670 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,248.43250 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 48A (Tc) 最大功耗: 113.5W（Tc） 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.47563 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13,689.08000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A（Tc） 最大功耗: 56.8W (Tc) 供应商设备包装: TO-251A 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.35670 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,248.43250 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.4A (Ta), 24A (Tc) 最大功耗: 2.16W（Ta）、43W（Tc） 供应商设备包装: TO-220FL 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥4.13497 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,134.97200 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Ta）、50A（Tc） 最大功耗: 2.5W（Ta），50W（Tc） 供应商设备包装: TO-263（D2Pak） 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥3.65694 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,851.10400 | 添加到BOM 立即询价 |