品牌介绍
Alpha and Omega Semiconductor，Inc.（简称AOS）是一家设计、开发和全球供应各种功率半导体的公司，包括一系列功率MOSFET和功率IC产品。AOS通过整合其在设备物理、工艺技术、设计和先进封装方面的专业知识来优化产品性能和成本，力求与众不同，其产品组合旨在满足高容量应用中不断增长的能效要求，包括便携式计算机、平板电视、电池组、，便携式媒体播放器和电源。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Tc) 最大功耗: 38.5W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.21863 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,218.62700 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH 100V 37A TO252 | ¥3.19006 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,975.15750 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Ta) 最大功耗: 2W（Ta） 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.11142 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,334.26900 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A（Ta） 最大功耗: 3.1W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.11142 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,334.26900 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Ta), 31.5A (Tc) 最大功耗: 2.1W（Ta），83.3W（Tc） 供应商设备包装: TO-263（D2Pak） 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥4.90460 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,923.68160 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 48A (Tc) 最大功耗: 56W (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.26085 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12,782.55900 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 75 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A（Ta）、100A（Tc） 最大功耗: 2.1W（Ta）、268W（Tc） 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥3.62576 | 9560 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥3,625.76000 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A（Tc） 最大功耗: 184W（Tc） 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.92372 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,923.72300 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 46W (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN-EP (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.49832 | 30 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥10,494.96300 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Ta) 最大功耗: 2.5W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.12374 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,371.20800 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1000伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A（Tc） 最大功耗: 83W (Tc) 供应商设备包装: TO-252（DPak） 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.27201 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10,680.01750 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.3A（Ta） 最大功耗: 1.25W（Ta） 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.98360 | 53 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.98360 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.7A（Ta） 最大功耗: 1.2W（Ta） 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.13054 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,391.63200 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH 100V 70A TO252 | ¥4.28316 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10,707.90250 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 38A (Ta), 70A (Tc) 最大功耗: 6.2W (Ta), 138W (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.52855 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13,585.65300 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 700 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Tc) 最大功耗: 56.5W (Tc) 供应商设备包装: TO-251A 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥10.42978 | 59 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.42978 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A（Tc） 最大功耗: 312W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥10.83618 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10,836.17500 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.6A（Tc） 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: TO-252（DPak） 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.06785 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,169.62000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Ta）、34A（Tc） 最大功耗: 4.1W (Ta), 31W (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.06792 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,203.76000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A（Tc） 最大功耗: 178W（Tc） 供应商设备包装: TO-263（D2Pak） 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥10.87521 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,700.17120 | 添加到BOM 立即询价 |