品牌介绍
Alpha and Omega Semiconductor，Inc.（简称AOS）是一家设计、开发和全球供应各种功率半导体的公司，包括一系列功率MOSFET和功率IC产品。AOS通过整合其在设备物理、工艺技术、设计和先进封装方面的专业知识来优化产品性能和成本，力求与众不同，其产品组合旨在满足高容量应用中不断增长的能效要求，包括便携式计算机、平板电视、电池组、，便携式媒体播放器和电源。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A（Ta） 最大功耗: 3.1W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.64994 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.64994 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Ta) 最大功耗: 3.1W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥29.82626 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥29.82626 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.5A (Ta) 最大功耗: 3.1W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥21.59833 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21.59833 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A（Ta）、65A（Tc） 最大功耗: 2.5W（Ta）、83W（Tc） 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.66395 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.66395 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A（Ta） 最大功耗: 1.7W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥52.48205 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥52.48205 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A（Ta） 最大功耗: 2.8W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥16.51381 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16.51381 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.5A (Ta), 26A (Tc) 最大功耗: 2W（Ta），35W（Tc） 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥13.96431 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.96431 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Ta) 最大功耗: 2W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥8.92325 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.92325 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A（Ta）、20A（Tc） 最大功耗: 1.6W（Ta）、27W（Tc） 供应商设备包装: 8-DFN-EP (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥82.82980 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥82.82980 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Ta) 最大功耗: 2W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥98.25718 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥98.25718 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Ta), 20A (Tc) 最大功耗: 1.6W（Ta）、27W（Tc） 供应商设备包装: 8-DFN-EP (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥13.89188 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.89188 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 700毫安 (Ta) 最大功耗: 350mW (Ta) 供应商设备包装: SC-70-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥10.74846 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.74846 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH 30V 8DFN | ¥49.99050 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥49.99050 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.2A (Ta), 60A (Tc) 最大功耗: 2.6W（Ta）、150W（Tc） 供应商设备包装: TO-263（D2Pak） 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥8.82185 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.82185 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.5A (Ta), 20A (Ta) 最大功耗: 1.7W（Ta）、20W（Tc） 供应商设备包装: 8-DFN-EP (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥36.89486 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥36.89486 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A (Ta), 105A (Tc) 最大功耗: 3.5W (Ta), 150W (Tc) 供应商设备包装: TO-263（D2Pak） 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥17.07876 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17.07876 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Ta), 20A (Tc) 最大功耗: 1.7W（Ta）、20W（Tc） 供应商设备包装: 8-DFN-EP (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥32.02810 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥32.02810 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Ta), 35A (Tc) 最大功耗: 2.1W（Ta）、100W（Tc） 供应商设备包装: TO-263（D2Pak） 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥17.45539 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17.45539 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A（Ta） 最大功耗: 3.1W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥34.33135 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥34.33135 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Ta), 20A (Tc) 最大功耗: 1.7W（Ta）、20W（Tc） 供应商设备包装: 8-DFN-EP (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥16.09372 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16.09372 | 添加到BOM 立即询价 |