Alpha and Omega Semiconductor,Inc.(简称AOS)是一家设计、开发和全球供应各种功率半导体的公司,包括一系列功率MOSFET和功率IC产品。AOS通过整合其在设备物理、工艺技术、设计和先进封装方面的专业知识来优化产品性能和成本,力求与众不同,其产品组合旨在满足高容量应用中不断增长的能效要求,包括便携式计算机、平板电视、电池组、,便携式媒体播放器和电源。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.4A (Ta) 最大功耗: 3.1W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥11.63210 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.63210 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Ta) 最大功耗: 3.1W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥6.21441 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.21441 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Ta) 最大功耗: 1.7W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥40.82098 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥40.82098 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Ta) 最大功耗: 1.7W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥14.80449 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.80449 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥79.02004 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥79.02004 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥51.56945 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥51.56945 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥86.84237 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥86.84237 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET P-CH 30V 6TSOP | ¥117.71161 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥117.71161 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥15.38392 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15.38392 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥51.88814 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥51.88814 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.3A(Ta) 最大功耗: 1.25W(Ta) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥77.02100 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥77.02100 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 30V SC70-3 | ¥75.63036 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥75.63036 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.2A(Ta) 最大功耗: 350mW (Ta) 供应商设备包装: SC-70-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥6.06183 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.06183 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、37W(Tc) 供应商设备包装: TO-252(DPak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥57.63900 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥57.63900 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 60V 8DFN | ¥83.35562 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥83.35562 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 40毫安 (Ta) 最大功耗: 1.39W(Ta) 供应商设备包装: SOT-23A-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥0.80903 | 493 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.80903 | 立即购买 加入购物车 | ||
MOSFET N-CH 30V 8DFN | ¥56.14696 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥56.14696 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Ta) 最大功耗: 1.4W(Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥18.31005 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥18.31005 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A(Ta)、85A(Tc) 最大功耗: 2.3W(Ta),83W(Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥21.35207 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21.35207 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 75 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.1A(Ta) 最大功耗: 3.1W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥19.86003 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19.86003 | 添加到BOM 立即询价 |