品牌介绍
Alpha and Omega Semiconductor，Inc.（简称AOS）是一家设计、开发和全球供应各种功率半导体的公司，包括一系列功率MOSFET和功率IC产品。AOS通过整合其在设备物理、工艺技术、设计和先进封装方面的专业知识来优化产品性能和成本，力求与众不同，其产品组合旨在满足高容量应用中不断增长的能效要求，包括便携式计算机、平板电视、电池组、，便携式媒体播放器和电源。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Ta） 最大功耗: 3.1W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥32.28885 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥32.28885 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A（Tc） 最大功耗: 208W（Tc） 供应商设备包装: TO-263（D2Pak） 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥25.35015 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥25.35015 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Tc） 最大功耗: 250W（Tc） 供应商设备包装: TO-263（D2Pak） 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥14.44234 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.44234 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A（Ta）、30A（Tc） 最大功耗: 5W (Ta), 38W (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥49.28069 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥49.28069 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH TO252 | ¥17.19465 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17.19465 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | MOSFET N-CH TO252 | ¥54.40867 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥54.40867 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 47A (Tc) 最大功耗: 26W（Tc） 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥18.41145 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥18.41145 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Ta) 最大功耗: 2.5W（Ta） 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥28.69637 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥28.69637 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 85A (Tc) 最大功耗: 42W (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥37.37336 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥37.37336 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Ta) 最大功耗: 2.8W（Ta） 供应商设备包装: 6-DFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥158.24288 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥158.24288 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | MOSFET N-CH 5X6 DFN | ¥7.80785 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.80785 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | MOSFET N-CH 5X6 DFN | ¥4.07051 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.07051 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | MOSFET N-CH TO-220F | ¥74.18178 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥74.18178 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.5A（Ta） 最大功耗: 1W（Ta） 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥28.18937 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥28.18937 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 85A (Tc) 最大功耗: 268W（Tc） 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥191.18359 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥191.18359 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.2A (Ta) 最大功耗: 1.4W（Ta） 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥19.32406 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19.32406 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Ta) 最大功耗: 1.4W（Ta） 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥12.05219 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.05219 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.6A（Ta） 最大功耗: 1.4W（Ta） 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥74.67430 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥74.67430 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 500毫安 (Ta) 最大功耗: 280毫瓦（Ta） 供应商设备包装: SC-89-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥14.55823 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.55823 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | MOSFET N-CH 8DFN 5X6 | ¥35.35984 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥35.35984 | 添加到BOM 立即询价 |