Alpha and Omega Semiconductor,Inc.(简称AOS)是一家设计、开发和全球供应各种功率半导体的公司,包括一系列功率MOSFET和功率IC产品。AOS通过整合其在设备物理、工艺技术、设计和先进封装方面的专业知识来优化产品性能和成本,力求与众不同,其产品组合旨在满足高容量应用中不断增长的能效要求,包括便携式计算机、平板电视、电池组、,便携式媒体播放器和电源。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A(Ta)、85A(Tc) 最大功耗: 2.3W(Ta),83W(Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥83.69895 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥83.69895 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 47A (Ta), 85A (Tc) 最大功耗: 7.3W (Ta), 156W (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥8.67699 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.67699 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Ta)、43A(Tc) 最大功耗: 2W(Ta),30W(Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥18.71565 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥18.71565 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 71A (Ta), 200A (Tc) 最大功耗: 7.3W (Ta), 83W (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥8.99568 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.99568 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 71A (Ta), 200A (Tc) 最大功耗: 7.3W (Ta), 83W (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥52.29374 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥52.29374 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 30V 27A DFN | ¥128.03999 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥128.03999 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A(Ta)、80A(Tc) 最大功耗: 2.1W(Ta)、83W(Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥58.59506 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥58.59506 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 24A(Ta)、85A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、83W(Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥19.93246 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19.93246 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH | ¥76.22428 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥76.22428 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH | ¥193.24057 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥193.24057 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH | ¥72.41451 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥72.41451 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15.8A(Ta)、40A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、62W(Tc) 供应商设备包装: 8-DFN-EP (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥58.82683 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥58.82683 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Ta)、40A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、36W(Tc) 供应商设备包装: 8-DFN-EP (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥24.61137 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥24.61137 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13.5A(Ta)、39A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、26W(Tc) 供应商设备包装: 8-DFN-EP (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥20.13526 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥20.13526 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Ta)、29A(Tc) 最大功耗: 4.1W (Ta), 25W (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN-EP (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥12.34190 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.34190 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.5A (Ta), 24A (Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、20W(Tc) 供应商设备包装: 8-DFN-EP (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥11.66107 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.66107 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 46A (Ta), 50A (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN-EP (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥33.05660 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥33.05660 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH | ¥71.61780 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥71.61780 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Ta)、12A(Tc) 最大功耗: 4.1W (Ta), 12.5W (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN-EP (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥12.80545 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.80545 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13.5A(Ta)、36A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、23W(Tc) 供应商设备包装: 8-DFN-EP (3x3) 工作温度: -55摄氏度~155摄氏度(TJ) | ¥17.84651 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17.84651 | 添加到BOM 立即询价 |