品牌介绍
Alpha and Omega Semiconductor，Inc.（简称AOS）是一家设计、开发和全球供应各种功率半导体的公司，包括一系列功率MOSFET和功率IC产品。AOS通过整合其在设备物理、工艺技术、设计和先进封装方面的专业知识来优化产品性能和成本，力求与众不同，其产品组合旨在满足高容量应用中不断增长的能效要求，包括便携式计算机、平板电视、电池组、，便携式媒体播放器和电源。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 36A (Ta), 75A (Tc) 最大功耗: 4.2W (Ta), 34W (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN-EP (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥27.95759 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥27.95759 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A（Tc） 最大功耗: 250W（Tc） 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.01923 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.01923 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.7A (Ta), 42A (Tc) 最大功耗: 1.92W（Ta），150W（Tc） 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥5.21489 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.21489 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 75 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A（Ta）、127A（Tc） 最大功耗: 1.9W（Ta）、417W（Tc） 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥17.84651 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17.84651 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Tc) 最大功耗: 104W（Tc） 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.65090 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.65090 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 208W（Tc） 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥21.90253 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21.90253 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.4A (Tc) 最大功耗: 245W（Tc） 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥25.30669 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥25.30669 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A（Tc） 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥33.21594 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥33.21594 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A（Tc） 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥8.32934 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.32934 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A（Tc） 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥68.98138 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥68.98138 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A（Tc） 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥58.36329 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥58.36329 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A（Tc） 最大功耗: 43W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥16.81801 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16.81801 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH 650V 12A TO220F | ¥4.27331 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.27331 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A（Tc） 最大功耗: 31W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥122.91201 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥122.91201 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A（Ta） 最大功耗: 3.1W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.82377 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.82377 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A（Tc） 最大功耗: 56.8W (Tc) 供应商设备包装: TO-251-3 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥16.78904 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16.78904 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A（Tc） 最大功耗: 278W（Tc） 供应商设备包装: TO-263（D2Pak） 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥8.15551 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.15551 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A（Tc） 最大功耗: 56.8W (Tc) 供应商设备包装: TO-251-3 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥6.77935 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.77935 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Tc） 最大功耗: 463W (Tc) 供应商设备包装: TO-263（D2Pak） 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥63.99826 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥63.99826 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH | ¥37.93831 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥37.93831 | 添加到BOM 立即询价 |