品牌介绍
Alpha and Omega Semiconductor，Inc.（简称AOS）是一家设计、开发和全球供应各种功率半导体的公司，包括一系列功率MOSFET和功率IC产品。AOS通过整合其在设备物理、工艺技术、设计和先进封装方面的专业知识来优化产品性能和成本，力求与众不同，其产品组合旨在满足高容量应用中不断增长的能效要求，包括便携式计算机、平板电视、电池组、，便携式媒体播放器和电源。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MOSFET N-CH | ¥83.20644 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥83.20644 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A（Ta）、46A（Tc） 最大功耗: 2.5W (Ta), 53W (Tc) 供应商设备包装: TO-252（DPak） 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥35.04115 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥35.04115 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 38W (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥21.80113 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21.80113 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A（Ta）、46A（Tc） 最大功耗: 2.5W（Ta），50W（Tc） 供应商设备包装: TO-251A 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥40.14015 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥40.14015 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 34.5A (Tc) 最大功耗: 34.7W (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥26.97256 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥26.97256 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A（Ta）、55A（Tc） 最大功耗: 2.3W（Ta），50W（Tc） 供应商设备包装: TO-251A 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥19.36752 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19.36752 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A（Ta）、46A（Tc） 最大功耗: 2.5W（Ta），50W（Tc） 供应商设备包装: TO-251B 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥7.34430 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.34430 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A（Ta）、46A（Tc） 最大功耗: 2.5W（Ta），50W（Tc） 供应商设备包装: TO-251B 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥135.41326 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥135.41326 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A（Ta）、46A（Tc） 最大功耗: 2.5W（Ta），50W（Tc） 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥37.25748 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥37.25748 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 700毫安 (Ta) 最大功耗: 900mW (Ta) 供应商设备包装: 3-DFN（1.0 x 0.60） 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥16.67316 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16.67316 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 700毫安 (Ta) 最大功耗: 900mW (Ta) 供应商设备包装: 3-DFN（1.0 x 0.60） 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥43.47189 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥43.47189 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Ta) 最大功耗: 1.5W（Ta） 供应商设备包装: 6-DFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥13.15263 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.15263 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A（Ta） 最大功耗: 2.5W（Ta） 供应商设备包装: 8-DFN (3x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥12.08116 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.08116 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A（Ta） 最大功耗: 2.5W（Ta） 供应商设备包装: 8-DFN (3x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥22.29365 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥22.29365 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A（Ta） 最大功耗: 2.5W（Ta） 供应商设备包装: 8-DFN (3x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥12.03770 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.03770 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Ta) 最大功耗: 2.5W（Ta） 供应商设备包装: 8-DFN (3x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥20.10629 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥20.10629 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Ta) 最大功耗: 1.7W（Ta） 供应商设备包装: 8-DFN (3x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥38.73503 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥38.73503 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH 30V 25A DFN | ¥29.02954 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥29.02954 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | MOSFET N-CH 30V 23A DFN | ¥59.34832 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥59.34832 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 31A (Ta), 85A (Tc) 最大功耗: 2.3W（Ta），83W（Tc） 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.76631 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.76631 | 添加到BOM 立即询价 |