Alpha and Omega Semiconductor,Inc.(简称AOS)是一家设计、开发和全球供应各种功率半导体的公司,包括一系列功率MOSFET和功率IC产品。AOS通过整合其在设备物理、工艺技术、设计和先进封装方面的专业知识来优化产品性能和成本,力求与众不同,其产品组合旨在满足高容量应用中不断增长的能效要求,包括便携式计算机、平板电视、电池组、,便携式媒体播放器和电源。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A(Tc) 最大功耗: 74W (Tc) 供应商设备包装: TO-252(DPak) 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.14342 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.14342 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Tc) 最大功耗: 83W (Tc) 供应商设备包装: TO-252(DPak) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥11.60313 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.60313 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Tc) 最大功耗: 89W (Tc) 供应商设备包装: TO-252(DPak) 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥22.56888 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥22.56888 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 75 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A(Ta)、10A(Tc) 最大功耗: 2.1W(Ta),28.5W(Tc) 供应商设备包装: TO-252(DPak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥19.80209 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19.80209 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Tc) 最大功耗: 125W(Tc) 供应商设备包装: TO-252(DPak) 工作温度: -50摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥123.01341 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥123.01341 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Tc) 最大功耗: 83W (Tc) 供应商设备包装: TO-251A 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥61.24596 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥61.24596 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Ta) 最大功耗: 2.8W(Ta) 供应商设备包装: 6-DFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥15.58672 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15.58672 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Tc) 最大功耗: 278W(Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥26.62490 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥26.62490 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.4A(Ta) 最大功耗: 800mW (Ta) 供应商设备包装: 4-WLCSP (1.6x1.6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥54.64044 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥54.64044 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Tc) 最大功耗: 463W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥119.85551 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥119.85551 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Tc) 最大功耗: 463W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥74.35561 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥74.35561 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Tc) 最大功耗: 43W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥57.59554 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥57.59554 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥6.67795 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.67795 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Tc) 最大功耗: 38W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥30.47812 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥30.47812 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Tc) 最大功耗: 463W (Tc) 供应商设备包装: TO-262 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥62.40483 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥62.40483 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 100V 8SOIC | ¥39.12615 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥39.12615 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 100V 8SOIC | ¥62.37586 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥62.37586 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET P-CH 8SOIC | ¥54.30726 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥54.30726 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET P-CH 8TSSOP | ¥2.21633 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.21633 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 100V TO-263 | ¥30.26084 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥30.26084 | 添加到BOM 立即询价 |