品牌介绍
Alpha and Omega Semiconductor，Inc.（简称AOS）是一家设计、开发和全球供应各种功率半导体的公司，包括一系列功率MOSFET和功率IC产品。AOS通过整合其在设备物理、工艺技术、设计和先进封装方面的专业知识来优化产品性能和成本，力求与众不同，其产品组合旨在满足高容量应用中不断增长的能效要求，包括便携式计算机、平板电视、电池组、，便携式媒体播放器和电源。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Ta), 35A (Tc) 最大功耗: 2.1W（Ta）、100W（Tc） 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥9.71997 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.71997 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N CH 30V 18A 8SOIC | ¥24.26372 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥24.26372 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A（Tc） 最大功耗: 278W（Tc） 供应商设备包装: TO-263（D2Pak） 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.41769 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.41769 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Tc） 最大功耗: 463W (Tc) 供应商设备包装: TO-263（D2Pak） 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥68.47438 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥68.47438 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH TO-252 | ¥46.39802 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥46.39802 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH TO-252 | ¥80.83076 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥80.83076 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | MOSFET N-CH TO-252 | ¥6.35927 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.35927 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 55A (Tc) 最大功耗: 3.2W（Ta）、50W（Tc） 供应商设备包装: TO-251A 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥6.56207 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.56207 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET DFN 5X6 | ¥13.08068 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.08068 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 24A（Tc） 最大功耗: 3.1W（Ta）、23W（Tc） 供应商设备包装: 8-DFN-EP (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥7.43122 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.43122 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 24A（Tc） 最大功耗: 3.1W（Ta）、23W（Tc） 供应商设备包装: 8-DFN-EP (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.91069 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.91069 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 46A (Tc) 最大功耗: 2.5W（Ta），50W（Tc） 供应商设备包装: TO-251B 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥28.69637 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥28.69637 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | MOSFET N-CH 8SOIC | ¥4.84492 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.84492 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 19A（Ta） 最大功耗: 3.1W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥119.34851 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥119.34851 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.5A (Ta) 最大功耗: 3.1W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥13.52974 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.52974 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A（Ta） 最大功耗: 3W (Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥53.26429 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥53.26429 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A（Ta） 最大功耗: 3W (Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥71.82060 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥71.82060 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A（Ta） 最大功耗: 1.7W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥7.69196 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.69196 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A（Ta） 最大功耗: 1.7W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥6.95318 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.95318 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A（Ta） 最大功耗: 3.1W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.54854 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.54854 | 添加到BOM 立即询价 |