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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: Renesas Electronics America Inc

中文全称: 瑞萨电子

英文简称: Renesas

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

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IDT71V416L12YI
IDT71V416L12YI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ

¥69.56081

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5-7 工作日

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合计: ¥69.56081

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IDT70T633S12DDI
IDT70T633S12DDI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 2.4伏~2.6伏 供应商设备包装: 144-TQFP(20x20)

¥48.16529

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合计: ¥48.16529

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IDT71V416L12YI8
IDT71V416L12YI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ

¥36.56216

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合计: ¥36.56216

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IDT70T633S15DD
IDT70T633S15DD
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 2.4伏~2.6伏 供应商设备包装: 144-TQFP(20x20)

¥80.26582

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合计: ¥80.26582

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IDT71V416L15PH
IDT71V416L15PH
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥45.68821

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合计: ¥45.68821

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70T651S10DR
70T651S10DR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 2.4伏~2.6伏 供应商设备包装: 208-PQFP(28x28)

¥28.75431

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IDT71V416L15PH8
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥38.50326

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5-7 工作日

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合计: ¥38.50326

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70T651S12DR
70T651S12DR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 2.4伏~2.6伏 供应商设备包装: 208-PQFP(28x28)

¥17.39745

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IDT71V416L15PHI
IDT71V416L15PHI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥123.25967

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5-7 工作日

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合计: ¥123.25967

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70T651S12DRI
70T651S12DRI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 2.4伏~2.6伏 供应商设备包装: 208-PQFP(28x28)

¥430.43106

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合计: ¥430.43106

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IDT71V416L15PHI8
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥481.91359

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合计: ¥481.91359

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70T651S15DR
70T651S15DR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 2.4伏~2.6伏 供应商设备包装: 208-PQFP(28x28)

¥90.05822

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IDT71V416L15Y
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ

¥79.22284

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70T659S10DR
70T659S10DR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 2.4伏~2.6伏 供应商设备包装: 208-PQFP(28x28)

¥31.78185

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IDT71V416L15Y8
IDT71V416L15Y8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ

¥64.28798

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70T659S12DR
70T659S12DR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 2.4伏~2.6伏 供应商设备包装: 208-PQFP(28x28)

¥42.57377

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合计: ¥42.57377

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70T659S15DR
70T659S15DR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 2.4伏~2.6伏 供应商设备包装: 208-PQFP(28x28)

¥62.25997

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合计: ¥62.25997

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IDT71V416L15YI
IDT71V416L15YI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ

¥34.20097

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合计: ¥34.20097

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IDT71V416L15YI8
IDT71V416L15YI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ

¥8.86531

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70V05L15J
70V05L15J
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 68-PLCC (24.21x24.21)

¥74.74673

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