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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: Renesas Electronics America Inc

中文全称: 瑞萨电子

英文简称: Renesas

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

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IDT71V3579YS65PFG
IDT71V3579YS65PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥232.52606

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IDT70T3319S133DD
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 2.4伏~2.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 144-TQFP(20x20)

¥175.16229

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IDT71V3579YS85PF
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥130.83575

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合计: ¥130.83575

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IDT71V3579YS85PF8
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥12.99376

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IDT71V416L10BEGI
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-CABGA (9x9)

¥149.27617

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IDT70T3319S133DDI
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 2.4伏~2.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 144-TQFP(20x20)

¥29.05852

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IDT71V416L10BEGI8
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-CABGA (9x9)

¥43.76160

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IDT70T3319S166DD
IDT70T3319S166DD
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 2.4伏~2.6伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 144-TQFP(20x20)

¥75.86214

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IDT71V416L10BEI
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-CABGA (9x9)

¥66.83748

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IDT70T3399S133DD
IDT70T3399S133DD
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (128K x 18) 电源电压: 2.4伏~2.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 144-TQFP(20x20)

¥74.51496

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IDT71V416L10BEI8
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-CABGA (9x9)

¥471.13616

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IDT70T3399S133DDI
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (128K x 18) 电源电压: 2.4伏~2.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 144-TQFP(20x20)

¥39.95184

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IDT70T3399S166DD
IDT70T3399S166DD
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (128K x 18) 电源电压: 2.4伏~2.6伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 144-TQFP(20x20)

¥119.47888

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IDT71V416L10PH
IDT71V416L10PH
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥33.08557

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70T3519S133DR
70T3519S133DR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 2.4伏~2.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 208-PQFP(28x28)

¥18.58528

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IDT71V416L10PH8
IDT71V416L10PH8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥47.02091

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70T3519S133DRI
70T3519S133DRI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 2.4伏~2.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 208-PQFP(28x28)

¥49.00546

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IDT71V416L10Y
IDT71V416L10Y
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ

¥55.87173

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70T3519S166DR
70T3519S166DR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 2.4伏~2.6伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 208-PQFP(28x28)

¥165.09466

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IDT71V416L10Y8
IDT71V416L10Y8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ

¥31.47764

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