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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: Renesas Electronics America Inc

中文全称: 瑞萨电子

英文简称: Renesas

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

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描述
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70T3589S133DR
70T3589S133DR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (64K x 36) 电源电压: 2.4伏~2.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 208-PQFP(28x28)

¥29.63070

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合计: ¥29.63070

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IDT71V416L10YI
IDT71V416L10YI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ

¥32.41922

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合计: ¥32.41922

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70T3589S133DRI
70T3589S133DRI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (64K x 36) 电源电压: 2.4伏~2.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 208-PQFP(28x28)

¥51.25076

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5-7 工作日

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合计: ¥51.25076

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IDT71V416L10YI8
IDT71V416L10YI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ

¥56.01659

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合计: ¥56.01659

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70T3589S166DR
70T3589S166DR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (64K x 36) 电源电压: 2.4伏~2.6伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 208-PQFP(28x28)

¥91.28951

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IDT71V416L12PH
IDT71V416L12PH
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥27.24779

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70T3599S133DR
70T3599S133DR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 2.4伏~2.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 208-PQFP(28x28)

¥125.04143

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IDT71V416L12PH8
IDT71V416L12PH8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥142.84447

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合计: ¥142.84447

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70T3599S166DR
70T3599S166DR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 2.4伏~2.6伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 208-PQFP(28x28)

¥29.79729

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合计: ¥29.79729

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71V416L12PHGI
71V416L12PHGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥26.52350

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合计: ¥26.52350

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IDT70T631S10DD
IDT70T631S10DD
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 2.4伏~2.6伏 供应商设备包装: 144-TQFP(20x20)

¥47.38305

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IDT71V416L12PHI
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥31.20241

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IDT70T631S12DD
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 2.4伏~2.6伏 供应商设备包装: 144-TQFP(20x20)

¥64.70807

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IDT71V416L12PHI8
IDT71V416L12PHI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥44.94944

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IDT70T631S12DDI
IDT70T631S12DDI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 2.4伏~2.6伏 供应商设备包装: 144-TQFP(20x20)

¥993.56654

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IDT71V416L12Y
IDT71V416L12Y
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ

¥16.29653

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IDT70T631S15DD
IDT70T631S15DD
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 2.4伏~2.6伏 供应商设备包装: 144-TQFP(20x20)

¥4.99760

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IDT70T633S10DD
IDT70T633S10DD
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 2.4伏~2.6伏 供应商设备包装: 144-TQFP(20x20)

¥16.18064

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IDT71V416L12Y8
IDT71V416L12Y8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ

¥31.92670

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IDT70T633S12DD
IDT70T633S12DD
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 2.4伏~2.6伏 供应商设备包装: 144-TQFP(20x20)

¥43.39946

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