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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: Renesas Electronics America Inc

中文全称: 瑞萨电子

英文简称: Renesas

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

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描述
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IDT71V416S15PHI8
IDT71V416S15PHI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥75.12336

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5-7 工作日

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合计: ¥75.12336

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R1EX24002ATAS0I#S0
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 2Kb (256 x 8) 电源电压: 1.8伏~5.5伏 时钟频率: 400千赫 供应商设备包装: 8-TSSOP

¥45.60130

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5-7 工作日

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合计: ¥45.60130

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70V05S55PF8
70V05S55PF8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 64-TQFP (14x14)

¥57.53760

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合计: ¥57.53760

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IDT71V416S15Y
IDT71V416S15Y
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ

¥469.48478

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合计: ¥469.48478

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R1EX24004ASAS0I#S0
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 4Kb (512 x 8) 电源电压: 1.8伏~5.5伏 时钟频率: 400千赫 供应商设备包装: 8-SOP

¥105.31177

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合计: ¥105.31177

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70V06L15J
70V06L15J
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 128Kb (16K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 68-PLCC (24.21x24.21)

¥96.40300

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合计: ¥96.40300

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IDT71V416S15Y8
IDT71V416S15Y8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ

¥60.42027

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5-7 工作日

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合计: ¥60.42027

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R1EX24004ATAS0I#S0
R1EX24004ATAS0I#S0
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 4Kb (512 x 8) 电源电压: 1.8伏~5.5伏 时钟频率: 400千赫 供应商设备包装: 8-TSSOP

¥29.37720

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合计: ¥29.37720

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70V06L15J8
70V06L15J8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 128Kb (16K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 68-PLCC (24.21x24.21)

¥39.54623

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合计: ¥39.54623

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IDT71V416S15YI
IDT71V416S15YI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ

¥91.70960

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合计: ¥91.70960

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R1EX24008ATAS0I#S0
R1EX24008ATAS0I#S0
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 8Kb (1K x 8) 电源电压: 1.8伏~5.5伏 时钟频率: 400千赫 供应商设备包装: 8-TSSOP

¥13.55871

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合计: ¥13.55871

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70V06L15PF
70V06L15PF
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 128Kb (16K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 64-TQFP (14x14)

¥14.96383

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合计: ¥14.96383

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IDT71V416S15YI8
IDT71V416S15YI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ

¥15.45635

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5-7 工作日

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合计: ¥15.45635

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IDT71V416S20PH
IDT71V416S20PH
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ

¥38.48877

0

5-7 工作日

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合计: ¥38.48877

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R1EX24016ASAS0I#S0
R1EX24016ASAS0I#S0
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 1.8伏~5.5伏 时钟频率: 400千赫 供应商设备包装: 8-SOP

¥74.09487

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合计: ¥74.09487

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R1WV6416RSA-5SI#B0
R1WV6416RSA-5SI#B0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥39.27100

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合计: ¥39.27100

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IDT71V416S20PHG
IDT71V416S20PHG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥133.39973

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合计: ¥133.39973

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IDT71V416S20PHG8
IDT71V416S20PHG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥127.17084

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合计: ¥127.17084

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70V06L15PF8
70V06L15PF8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 128Kb (16K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 64-TQFP (14x14)

¥33.08557

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合计: ¥33.08557

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R1EX24016ATAS0I#S0
R1EX24016ATAS0I#S0
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 1.8伏~5.5伏 时钟频率: 400千赫 供应商设备包装: 8-TSSOP

¥23.26420

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