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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: Renesas Electronics America Inc

中文全称: 瑞萨电子

英文简称: Renesas

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

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描述
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IDT71V416VL12BE
IDT71V416VL12BE
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-CABGA (9x9)

¥215.57768

0

5-7 工作日

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合计: ¥215.57768

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R1EX25002ASA00I#S0
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 2Kb (256 x 8) 电源电压: 1.8伏~5.5伏 时钟频率: 5 MHz 供应商设备包装: 8-SOP

¥153.02799

0

5-7 工作日

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合计: ¥153.02799

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R1WV6416RSA-7SR#B0
R1WV6416RSA-7SR#B0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥14.96383

9000

5-7 工作日

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合计: ¥14.96383

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70V06L20PFI8
70V06L20PFI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 128Kb (16K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 64-TQFP (14x14)

¥108.96219

0

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合计: ¥108.96219

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R1EX25002ATA00I#S0
R1EX25002ATA00I#S0
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 2Kb (256 x 8) 电源电压: 1.8伏~5.5伏 时钟频率: 5 MHz 供应商设备包装: 8-TSSOP

¥91.94137

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合计: ¥91.94137

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70V06L25J
70V06L25J
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 128Kb (16K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 68-PLCC (24.21x24.21)

¥35.05564

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合计: ¥35.05564

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R1EX25004ASA00I#S0
R1EX25004ASA00I#S0
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 4Kb (512 x 8) 电源电压: 1.8伏~5.5伏 时钟频率: 5 MHz 供应商设备包装: 8-SOP

¥34.47620

0

5-7 工作日

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合计: ¥34.47620

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R1EX25004ATA00I#S0
R1EX25004ATA00I#S0
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 4Kb (512 x 8) 电源电压: 1.8伏~5.5伏 时钟频率: 5 MHz 供应商设备包装: 8-TSSOP

¥59.75393

0

5-7 工作日

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合计: ¥59.75393

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IDT71V416VL12BE8
IDT71V416VL12BE8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-CABGA (9x9)

¥66.67814

0

5-7 工作日

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合计: ¥66.67814

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IDT71V416VL12BEI
IDT71V416VL12BEI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-CABGA (9x9)

¥53.98858

0

5-7 工作日

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合计: ¥53.98858

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IDT71V416VL12BEI8
IDT71V416VL12BEI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-CABGA (9x9)

¥124.89657

0

5-7 工作日

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合计: ¥124.89657

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IDT71V416VL12PH
IDT71V416VL12PH
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥175.29267

0

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合计: ¥175.29267

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R1LV3216RSA-5SI#B1
R1LV3216RSA-5SI#B1
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥531.25223

0

5-7 工作日

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IDT71V416VL12PH8
IDT71V416VL12PH8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥77.93360

0

5-7 工作日

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R1RW0416DSB-2PI#D0
R1RW0416DSB-2PI#D0
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥15.35495

9000

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合计: ¥15.35495

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IDT71V416VL12PHG
IDT71V416VL12PHG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥56.71191

0

5-7 工作日

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合计: ¥56.71191

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IDT71V416VL12PHG8
IDT71V416VL12PHG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥22.10533

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合计: ¥22.10533

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IDT71V416VL12PHI
IDT71V416VL12PHI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥44.83355

0

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合计: ¥44.83355

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IDT71V416VL12PHI8
IDT71V416VL12PHI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥70.93696

0

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IDT71V416VL12Y
IDT71V416VL12Y
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ

¥128.51802

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