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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: Renesas Electronics America Inc

中文全称: 瑞萨电子

英文简称: Renesas

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

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描述
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70V06L25PFI8
70V06L25PFI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 128Kb (16K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 64-TQFP (14x14)

¥28.23282

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IDT71V416VL15PHI8
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥20.46844

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70V06L35J
70V06L35J
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 128Kb (16K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 68-PLCC (24.21x24.21)

¥88.20404

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IDT71V416VL15Y
IDT71V416VL15Y
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ

¥26.59593

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合计: ¥26.59593

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70V06L35J8
70V06L35J8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 128Kb (16K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 68-PLCC (24.21x24.21)

¥46.84708

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IDT71V416VL15Y8
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ

¥13.08068

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70V06L35PF
70V06L35PF
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 128Kb (16K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 64-TQFP (14x14)

¥48.99098

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合计: ¥48.99098

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IDT71V416VS10BEI
IDT71V416VS10BEI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-CABGA (9x9)

¥38.43083

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70V06L35PF8
70V06L35PF8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 128Kb (16K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 64-TQFP (14x14)

¥59.75393

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IDT71V416VS10BEI8
IDT71V416VS10BEI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-CABGA (9x9)

¥1.82521

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70V06L55J
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 128Kb (16K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 68-PLCC (24.21x24.21)

¥6.92421

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IDT71V416VS10PH
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥43.81955

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70V06L55J8
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 128Kb (16K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 68-PLCC (24.21x24.21)

¥56.34976

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IDT71V416VS10PH8
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥59.27589

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70V06L55PF
70V06L55PF
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 128Kb (16K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 64-TQFP (14x14)

¥70.61828

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合计: ¥70.61828

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R1EX25016ATA00I#S0
R1EX25016ATA00I#S0
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 1.8伏~5.5伏 时钟频率: 5 MHz 供应商设备包装: 8-TSSOP

¥49.64284

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70V06L55PF8
70V06L55PF8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 128Kb (16K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 64-TQFP (14x14)

¥45.06532

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合计: ¥45.06532

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R1EX25032ASA00I#S0
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存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 32Kb (4K x 8) 电源电压: 1.8伏~5.5伏 时钟频率: 5 MHz 供应商设备包装: 8-SOP

¥147.98693

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合计: ¥147.98693

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R1EX25032ATA00I#S0
R1EX25032ATA00I#S0
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 32Kb (4K x 8) 电源电压: 1.8伏~5.5伏 时钟频率: 5 MHz 供应商设备包装: 8-TSSOP

¥41.19762

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合计: ¥41.19762

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R1EX25064ASA00I#S0
R1EX25064ASA00I#S0
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 1.8伏~5.5伏 时钟频率: 5 MHz 供应商设备包装: 8-SOP

¥51.29422

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