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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: Renesas Electronics America Inc

中文全称: 瑞萨电子

英文简称: Renesas

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

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描述
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70V05S20J
70V05S20J
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 68-PLCC (24.21x24.21)

¥52.46757

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5-7 工作日

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合计: ¥52.46757

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70V05S20J8
70V05S20J8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 68-PLCC (24.21x24.21)

¥28.00105

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合计: ¥28.00105

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70V05S20PF
70V05S20PF
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 64-TQFP (14x14)

¥133.81982

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合计: ¥133.81982

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70V05S20PF8
70V05S20PF8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 64-TQFP (14x14)

¥555.54492

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合计: ¥555.54492

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70V05S25J
70V05S25J
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 68-PLCC (24.21x24.21)

¥44.64524

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70V05S25J8
70V05S25J8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 68-PLCC (24.21x24.21)

¥147.01638

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70V05S25PF8
70V05S25PF8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 64-TQFP (14x14)

¥28.42114

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70V05S35J
70V05S35J
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 68-PLCC (24.21x24.21)

¥38.17008

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70V05S35J8
70V05S35J8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 68-PLCC (24.21x24.21)

¥19.32406

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70V05S35PF
70V05S35PF
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 64-TQFP (14x14)

¥18.22314

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合计: ¥18.22314

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IDT71V416S12YI
IDT71V416S12YI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ

¥47.29614

0

5-7 工作日

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70V05S35PF8
70V05S35PF8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 64-TQFP (14x14)

¥68.80755

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IDT71V416S12YI8
IDT71V416S12YI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ

¥242.23155

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70V05S55J
70V05S55J
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 68-PLCC (24.21x24.21)

¥78.64341

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合计: ¥78.64341

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IDT71V416S15PH
IDT71V416S15PH
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥43.38497

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70V05S55J8
70V05S55J8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 68-PLCC (24.21x24.21)

¥4.46163

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合计: ¥4.46163

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IDT71V416S15PH8
IDT71V416S15PH8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥26.82770

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合计: ¥26.82770

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IDT71V416S15PHI
IDT71V416S15PHI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥27.30573

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合计: ¥27.30573

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R1EX24002ASAS0I#S0
R1EX24002ASAS0I#S0
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 2Kb (256 x 8) 电源电压: 1.8伏~5.5伏 时钟频率: 400千赫 供应商设备包装: 8-SOP

¥122.68024

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70V05S55PF
70V05S55PF
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 64-TQFP (14x14)

¥241.28997

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