从消费电子产品到汽车和工业设施,Littelfuse产品都是使用电能的应用中至关重要的组件。他们提供业界最广泛、最深入的电路保护产品组合,在功率控制和传感方面的平台也在不断增长。作为加速有机增长和战略收购的公司战略的一部分,它们正在向邻近市场扩张。这些市场包括功率半导体、重型开关、磁性、光学、机电和温度传感器;以及提供安全控制和配电的产品。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 2500伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 200毫安(Tc) 最大功耗: 83W (Tc) 供应商设备包装: TO-263AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥62.88286 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥62.88286 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 300V 80A TO-247 | ¥45.60130 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥45.60130 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Tc) 最大功耗: 960W(Tc) 供应商设备包装: SOT-227B 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥12.24050 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.24050 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 625W (Tc) 供应商设备包装: SOT-227B 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥25.30669 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥25.30669 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 300V 80A TO-268 | ¥22.30813 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥22.30813 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 280V 88A TO268 | ¥31.94119 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥31.94119 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 120伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 110A(Tc) 最大功耗: 517W (Tc) 供应商设备包装: TO-263AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥5.84502 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.84502 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 120伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 110A(Tc) 最大功耗: 517W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥59.53664 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥59.53664 | 添加到BOM 立即询价 | ||
参数配置: 全桥 集电极击穿电压: 3000伏 最大集电极电流 (Ic): 34 A 最大功率: 150瓦 供应商设备包装: 24-SMPD | ¥740.80381 | 1944 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥740.80381 | 添加到BOM 立即询价 | ||
参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 2500伏 最大集电极电流 (Ic): 23 A 最大功率: 100瓦 供应商设备包装: 24-SMPD | ¥590.44121 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥590.44121 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: PT 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 32 A 最大功率: 130瓦 供应商设备包装: ISOPLUS-SMPD。B | ¥76.40209 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15,280.41860 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: PT 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 63 A 最大功率: 230瓦 供应商设备包装: ISOPLUS-SMPD。B | ¥87.63764 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17,527.52820 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: PT 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 32 A 最大功率: 130瓦 供应商设备包装: ISOPLUS-SMPD。B | ¥97.48581 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,949.71626 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: PT 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 43 A 最大功率: 150瓦 供应商设备包装: ISOPLUS-SMPD。B | ¥98.93801 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19,787.60280 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: PT 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 63 A 最大功率: 230瓦 供应商设备包装: ISOPLUS-SMPD。B | ¥99.96651 | 200 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,999.33012 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: PT 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 63 A 最大功率: 230瓦 供应商设备包装: ISOPLUS-SMPD。B | ¥111.55877 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,231.17534 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: PT 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 63 A 最大功率: 230瓦 供应商设备包装: ISOPLUS-SMPD。B | ¥112.83243 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥22,566.48620 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: PT 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 43 A 最大功率: 150瓦 供应商设备包装: ISOPLUS-SMPD。B | ¥117.90717 | 20 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,358.14338 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: NPT 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 40 A 最大功率: 125瓦 供应商设备包装: ISOPLUS i4 PAC | ¥98.94917 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥98.94917 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: NPT 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1700伏 最大集电极电流 (Ic): 18A 最大功率: 140瓦 供应商设备包装: ISOPLUS i4 PAC | ¥384.96426 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥384.96426 | 添加到BOM 立即询价 |