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品牌介绍

ISSI (芯成半导体有限公司)是Integrated Silicon Solution, Inc. 缩写。1988年成立,专门设计、开发、销售高性能存储半导体产品,用于Internet存储器件、网络设备、远程通讯和移动通讯设备、计算机外设等。公司的客户都是一些电子工业巨头,如3Com, Alcatel, Cisco, Ericsson, Hewlett Packard, IBM, Lexmark, Motorola, Nokia, Seagate等公司。ISSI是国际化大公司,公司总部设在美国加州Santa Clara,在美国、欧洲拥有分公司,在台湾有合资企业,在中国香港设有子公司,销售办事处分布在美国、欧洲、香港、中国、台湾、日本。共有雇员约500人。ISSI 用0.25微米工艺技术生产最新进的SRAM产品,产品都是由代工服务商代为生产,台湾的TSMC、UMC、新加坡的Chartered Semiconductor都是它的合作伙伴。

英文全称: ISSI

中文全称: 美国芯成

英文简称: ISSI

品牌地址: http://www.issi.com/

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IS66WVE2M16ECLL-70BLI
IS66WVE2M16ECLL-70BLI
存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8)

¥35.93058

410

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IS43TR16640C-107MBLI
IS43TR16640C-107MBLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-TWBGA(9x13)

¥31.89617

346

2-3 工作日

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合计: ¥31.89617

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IS25WP032D-JKLE
IS25WP032D-JKLE
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x5)

¥34.88086

2531

2-3 工作日

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合计: ¥34.88086

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IS25LP032D-JLLE
IS25LP032D-JLLE
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (8x6)

¥11.79651

0

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IS42S16100H-7TLI
IS42S16100H-7TLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 50-TSOP II

¥18.11829

0

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合计: ¥18.11829

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IS62C1024AL-35TLI-TR
IS62C1024AL-35TLI-TR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-TSOP I

¥14.85012

1856

2-3 工作日

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合计: ¥14.85012

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IS62C256AL-45TLI
IS62C256AL-45TLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-TSOP I

¥5.29746

919

2-3 工作日

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合计: ¥5.29746

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IS25LP080D-JNLE-TR
IS25LP080D-JNLE-TR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥1.82738

142784

2-3 工作日

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合计: ¥1.82738

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IS25LP128F-JBLA3
IS25LP128F-JBLA3
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥30.44046

9037

2-3 工作日

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合计: ¥30.44046

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IS62WV5128EBLL-45HLI
IS62WV5128EBLL-45HLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-TSOP I

¥13.26292

6895

2-3 工作日

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合计: ¥13.26292

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IS42S32800J-6BLI
IS42S32800J-6BLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13)

¥44.22376

14777

2-3 工作日

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合计: ¥44.22376

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IS25WP256D-RMLE
IS25WP256D-RMLE
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥38.77776

0

2-3 工作日

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合计: ¥38.77776

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IS43R16160F-5BLI
IS43R16160F-5BLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-TFBGA (8x13)

¥34.81780

0

2-3 工作日

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合计: ¥34.81780

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IS62WV10248EBLL-45BLI
IS62WV10248EBLL-45BLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-VFBGA (6x8)

¥33.51463

43

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合计: ¥33.51463

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IS61WV5128BLL-10TLI
IS61WV5128BLL-10TLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥29.22510

4041

2-3 工作日

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IS42S32200L-7TL
IS42S32200L-7TL
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (2M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II

¥23.74512

13356

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IS43R16320F-6TLI
IS43R16320F-6TLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II

¥8.89099

0

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IS43DR81280C-3DBLI
IS43DR81280C-3DBLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 60-TWBGA (8x10.5)

¥67.15834

0

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IS62WV102416EBLL-45BLI
IS62WV102416EBLL-45BLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-VFBGA (6x8)

¥83.53164

480

2-3 工作日

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合计: ¥83.53164

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IS43DR81280C-25DBLI
IS43DR81280C-25DBLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 60-TWBGA (8x10.5)

¥62.93501

6

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