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品牌介绍

ISSI (芯成半导体有限公司)是Integrated Silicon Solution, Inc. 缩写。1988年成立,专门设计、开发、销售高性能存储半导体产品,用于Internet存储器件、网络设备、远程通讯和移动通讯设备、计算机外设等。公司的客户都是一些电子工业巨头,如3Com, Alcatel, Cisco, Ericsson, Hewlett Packard, IBM, Lexmark, Motorola, Nokia, Seagate等公司。ISSI是国际化大公司,公司总部设在美国加州Santa Clara,在美国、欧洲拥有分公司,在台湾有合资企业,在中国香港设有子公司,销售办事处分布在美国、欧洲、香港、中国、台湾、日本。共有雇员约500人。ISSI 用0.25微米工艺技术生产最新进的SRAM产品,产品都是由代工服务商代为生产,台湾的TSMC、UMC、新加坡的Chartered Semiconductor都是它的合作伙伴。

英文全称: ISSI

中文全称: 美国芯成

英文简称: ISSI

品牌地址: http://www.issi.com/

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描述
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IS43R86400F-5TLI
IS43R86400F-5TLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.5伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II

¥57.98811

2

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合计: ¥57.98811

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IS62WV5128BLL-55T2LI
IS62WV5128BLL-55T2LI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-TSOP II

¥15.52588

5529

2-3 工作日

- +

合计: ¥15.52588

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IS62WV5128EBLL-45BLI
IS62WV5128EBLL-45BLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 36-TFBGA (6x8)

¥27.56141

367

2-3 工作日

- +

合计: ¥27.56141

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IS42S16160G-7TLI
IS42S16160G-7TLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥20.09253

1880

2-3 工作日

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合计: ¥20.09253

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IS25LQ040B-JBLE-TR
IS25LQ040B-JBLE-TR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥4.65139

0

2-3 工作日

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IS43TR16512BL-125KBL
IS43TR16512BL-125KBL
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (512M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-TWBGA(10x14)

¥186.16860

3548

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合计: ¥186.16860

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IS43TR81024BL-125KBLI
IS43TR81024BL-125KBLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (1G x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-TWBGA (10x14)

¥208.12911

2528

2-3 工作日

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合计: ¥208.12911

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IS61WV1288EEBLL-10HLI
IS61WV1288EEBLL-10HLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-sTSOP I

¥12.50776

0

2-3 工作日

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合计: ¥12.50776

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IS61C256AL-12JLI
IS61C256AL-12JLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOJ

¥8.51186

3175

2-3 工作日

- +

合计: ¥8.51186

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IS43TR16640C-125JBL
IS43TR16640C-125JBL
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-TWBGA(9x13)

¥26.09496

6118

2-3 工作日

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合计: ¥26.09496

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IS63WV1024BLL-12TLI
IS63WV1024BLL-12TLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-TSOP II

¥18.04134

117

2-3 工作日

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合计: ¥18.04134

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IS61LPS12836A-200TQLI
IS61LPS12836A-200TQLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP(14x20)

¥78.83172

0

2-3 工作日

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合计: ¥78.83172

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IS66WVH8M8ALL-166B1LI
IS66WVH8M8ALL-166B1LI
存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 24-TFBGA (6x8)

¥34.64931

3328

2-3 工作日

- +

合计: ¥34.64931

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IS62LV256AL-45TLI
IS62LV256AL-45TLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 28-TSOP I

¥5.75811

0

2-3 工作日

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合计: ¥5.75811

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IS25LP016D-JNLE-TR
IS25LP016D-JNLE-TR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥1.91792

33

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.91792

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IS62WV102416DBLL-45TLI
IS62WV102416DBLL-45TLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥90.63186

0

2-3 工作日

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IS42S32400F-7TL
IS42S32400F-7TL
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II

¥35.75530

2782

2-3 工作日

- +

合计: ¥35.75530

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IS42S16100H-7TL
IS42S16100H-7TL
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 50-TSOP II

¥5.47998

75

2-3 工作日

- +

合计: ¥5.47998

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IS34ML04G084-TLI
IS34ML04G084-TLI
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥41.64523

79

2-3 工作日

- +

合计: ¥41.64523

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IS42S16320D-7BL
IS42S16320D-7BL
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TW-BGA (8x13)

¥112.56408

155

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