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品牌介绍

ISSI (芯成半导体有限公司)是Integrated Silicon Solution, Inc. 缩写。1988年成立,专门设计、开发、销售高性能存储半导体产品,用于Internet存储器件、网络设备、远程通讯和移动通讯设备、计算机外设等。公司的客户都是一些电子工业巨头,如3Com, Alcatel, Cisco, Ericsson, Hewlett Packard, IBM, Lexmark, Motorola, Nokia, Seagate等公司。ISSI是国际化大公司,公司总部设在美国加州Santa Clara,在美国、欧洲拥有分公司,在台湾有合资企业,在中国香港设有子公司,销售办事处分布在美国、欧洲、香港、中国、台湾、日本。共有雇员约500人。ISSI 用0.25微米工艺技术生产最新进的SRAM产品,产品都是由代工服务商代为生产,台湾的TSMC、UMC、新加坡的Chartered Semiconductor都是它的合作伙伴。

英文全称: ISSI

中文全称: 美国芯成

英文简称: ISSI

品牌地址: http://www.issi.com/

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描述
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IS25WP256D-JLLE
IS25WP256D-JLLE
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (8x6)

¥16.53120

9593

2-3 工作日

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合计: ¥16.53120

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IS62WV25616BLL-55TLI-TR
IS62WV25616BLL-55TLI-TR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥14.58141

45

2-3 工作日

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合计: ¥14.58141

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IS61C256AL-12TLI
IS61C256AL-12TLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-TSOP I

¥14.60813

860

2-3 工作日

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合计: ¥14.60813

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IS43R16160F-6BLI
IS43R16160F-6BLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 60-TFBGA (8x13)

¥20.60315

1

2-3 工作日

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合计: ¥20.60315

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IS61LV256AL-10TLI
IS61LV256AL-10TLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 3.135V~3.6V 供应商设备包装: 28-TSOP I

¥7.14643

2934

2-3 工作日

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合计: ¥7.14643

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IS25LP128-JLLE
IS25LP128-JLLE
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (8x6)

¥15.69536

29796

2-3 工作日

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合计: ¥15.69536

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IS25WP256D-RHLE
IS25WP256D-RHLE
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 24-TFBGA (6x8)

¥41.63843

3573

2-3 工作日

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合计: ¥41.63843

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IS29GL128-70FLET
IS29GL128-70FLET
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-LFBGA (11x13)

¥61.00622

288

2-3 工作日

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合计: ¥61.00622

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IS29GL256-70FLET
IS29GL256-70FLET
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-LFBGA (11x13)

¥57.63381

132

2-3 工作日

- +

合计: ¥57.63381

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IS25WP032D-JBLE
IS25WP032D-JBLE
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥6.84961

16051

2-3 工作日

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合计: ¥6.84961

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IS43DR16128C-3DBL
IS43DR16128C-3DBL
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 84-TWBGA (8x12.5)

¥117.40104

6

2-3 工作日

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合计: ¥117.40104

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IS43TR16640C-125JBLI
IS43TR16640C-125JBLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-TWBGA(9x13)

¥16.55292

186

2-3 工作日

- +

合计: ¥16.55292

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IS61LV25616AL-10TLI-TR
IS61LV25616AL-10TLI-TR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3.135V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥38.20340

5696

2-3 工作日

- +

合计: ¥38.20340

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IS43TR16128CL-125KBL-TR
IS43TR16128CL-125KBL-TR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-TWBGA(9x13)

¥65.09552

5025

2-3 工作日

- +

合计: ¥65.09552

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IS43TR16512B-125KBL
IS43TR16512B-125KBL
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (512M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-TWBGA(10x14)

¥181.43465

155

2-3 工作日

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合计: ¥181.43465

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IS25LP032D-JNLA3
IS25LP032D-JNLA3
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥14.77262

7986

2-3 工作日

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合计: ¥14.77262

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IS62WV6416BLL-55TLI
IS62WV6416BLL-55TLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥14.97904

1329

2-3 工作日

- +

合计: ¥14.97904

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IS61WV1288EEBLL-10TLI
IS61WV1288EEBLL-10TLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-TSOP II

¥10.63113

10

2-3 工作日

- +

合计: ¥10.63113

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IS61WV6416DBLL-10TLI
IS61WV6416DBLL-10TLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥14.08744

1380

2-3 工作日

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合计: ¥14.08744

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IS43DR86400E-3DBLI
IS43DR86400E-3DBLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 60-TWBGA (8x10.5)

¥41.14692

5618

2-3 工作日

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合计: ¥41.14692

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