品牌介绍
ISSI （芯成半导体有限公司）是Integrated Silicon Solution, Inc. 缩写。1988年成立，专门设计、开发、销售高性能存储半导体产品，用于Internet存储器件、网络设备、远程通讯和移动通讯设备、计算机外设等。公司的客户都是一些电子工业巨头，如3Com, Alcatel, Cisco, Ericsson, Hewlett Packard, IBM, Lexmark, Motorola, Nokia, Seagate等公司。ISSI是国际化大公司，公司总部设在美国加州Santa Clara，在美国、欧洲拥有分公司，在台湾有合资企业，在中国香港设有子公司，销售办事处分布在美国、欧洲、香港、中国、台湾、日本。共有雇员约500人。ISSI 用0.25微米工艺技术生产最新进的SRAM产品，产品都是由代工服务商代为生产，台湾的TSMC、UMC、新加坡的Chartered Semiconductor都是它的合作伙伴。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP | ¥85.15333 | 8869 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥85.15333 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 60-TFBGA (8x10) | ¥91.32428 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥91.32428 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (8x6) | ¥15.52588 | 11589 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥15.52588 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥13.99473 | 4036 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥13.99473 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II | ¥17.21448 | 524 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥17.21448 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 84-TWBGA (8x12.5) | ¥5.75521 | 388 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥5.75521 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-TFBGA (6x8) | ¥41.16551 | 8009 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥41.16551 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3.135V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥15.73264 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥15.73264 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb（256K x 36） 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP（14x20） | ¥82.00522 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥82.00522 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (64M x 32) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-WBGA (8x13) | ¥126.35963 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥126.35963 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8) | ¥45.17179 | 4680 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥45.17179 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb（256K x 36） 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP（14x20） | ¥129.69354 | 447 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥129.69354 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-TWBGA (8x12.5) | ¥48.40430 | 2818 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥48.40430 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8) | ¥23.35199 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥58,379.98250 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC | ¥17.35110 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥17,351.09800 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 32Mb (1M x 32) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥23.35199 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥58,379.98250 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 1.65伏～1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC | ¥12.41166 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥12,411.65800 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 60-TFBGA (6.4x10.1) | ¥10.89830 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥27,245.74250 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (2M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II | ¥30.72963 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥9,956.39882 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 60-TFBGA (8x10) | ¥20.40935 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥9,796.48704 | 立即购买 加入购物车 |