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品牌介绍

ISSI (芯成半导体有限公司)是Integrated Silicon Solution, Inc. 缩写。1988年成立,专门设计、开发、销售高性能存储半导体产品,用于Internet存储器件、网络设备、远程通讯和移动通讯设备、计算机外设等。公司的客户都是一些电子工业巨头,如3Com, Alcatel, Cisco, Ericsson, Hewlett Packard, IBM, Lexmark, Motorola, Nokia, Seagate等公司。ISSI是国际化大公司,公司总部设在美国加州Santa Clara,在美国、欧洲拥有分公司,在台湾有合资企业,在中国香港设有子公司,销售办事处分布在美国、欧洲、香港、中国、台湾、日本。共有雇员约500人。ISSI 用0.25微米工艺技术生产最新进的SRAM产品,产品都是由代工服务商代为生产,台湾的TSMC、UMC、新加坡的Chartered Semiconductor都是它的合作伙伴。

英文全称: ISSI

中文全称: 美国芯成

英文简称: ISSI

品牌地址: http://www.issi.com/

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IS61WV3216BLL-12TLI-TR
IS61WV3216BLL-12TLI-TR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 512Kb (32K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥12.86356

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合计: ¥12,863.56400

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IS42S16100H-7BLI
IS42S16100H-7BLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 60-TFBGA (6.4x10.1)

¥12.34860

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合计: ¥7,063.39977

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IS25LP064A-JLLE
IS25LP064A-JLLE
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (8x6)

¥11.87329

14930

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合计: ¥11.87329

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IS42S16100H-7BL
IS42S16100H-7BL
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 60-TFBGA (6.4x10.1)

¥11.10849

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合计: ¥9,531.08099

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IS25WP016D-JNLE-TR
IS25WP016D-JNLE-TR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥6.17956

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合计: ¥18,538.66500

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IS42VM32200M-75BLI-TR
IS42VM32200M-75BLI-TR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (2M x 32) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13)

¥28.33347

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合计: ¥70,833.68000

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IS42S16800F-7BL-TR
IS42S16800F-7BL-TR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8)

¥17.58231

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合计: ¥43,955.76500

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IS42S16800F-7BL
IS42S16800F-7BL
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8)

¥34.25029

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合计: ¥11,919.10127

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IS42RM16200D-75BLI
IS42RM16200D-75BLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8)

¥19.04312

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2-3 工作日

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合计: ¥6,627.00576

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IS42S83200J-6TL
IS42S83200J-6TL
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥24.94943

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合计: ¥8,083.61500

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IS66WV1M16EBLL-70BLI
IS66WV1M16EBLL-70BLI
存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8)

¥21.91220

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合计: ¥10,517.85552

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IS43DR86400E-3DBL
IS43DR86400E-3DBL
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 60-TWBGA (8x10.5)

¥21.84914

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2-3 工作日

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合计: ¥10,574.98473

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IS42S81600F-6TLI
IS42S81600F-6TLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥23.39403

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2-3 工作日

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合计: ¥7,579.66604

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IS43R16800E-5TLI-TR
IS43R16800E-5TLI-TR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II

¥24.33325

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合计: ¥36,499.87050

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IS61C64AL-10JLI
IS61C64AL-10JLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.75伏~5.25伏 供应商设备包装: 28-SOJ

¥12.57150

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2-3 工作日

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合计: ¥9,114.33895

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IS42RM32100D-6BLI-TR
IS42RM32100D-6BLI-TR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 32Mb (1M x 32) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13)

¥19.30586

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合计: ¥48,264.64000

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IS42S16160J-6TL
IS42S16160J-6TL
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥39.76775

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合计: ¥12,884.75132

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IS61C5128AS-25TLI-TR
IS61C5128AS-25TLI-TR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-TSOP II

¥25.29624

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2-3 工作日

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合计: ¥25,296.24100

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IS42S16160J-7BLI-TR
IS42S16160J-7BLI-TR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8)

¥37.59230

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合计: ¥93,980.73750

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IS42S16160J-6TLI-TR
IS42S16160J-6TLI-TR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥23.84594

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合计: ¥35,768.90550

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