品牌介绍
ISSI （芯成半导体有限公司）是Integrated Silicon Solution, Inc. 缩写。1988年成立，专门设计、开发、销售高性能存储半导体产品，用于Internet存储器件、网络设备、远程通讯和移动通讯设备、计算机外设等。公司的客户都是一些电子工业巨头，如3Com, Alcatel, Cisco, Ericsson, Hewlett Packard, IBM, Lexmark, Motorola, Nokia, Seagate等公司。ISSI是国际化大公司，公司总部设在美国加州Santa Clara，在美国、欧洲拥有分公司，在台湾有合资企业，在中国香港设有子公司，销售办事处分布在美国、欧洲、香港、中国、台湾、日本。共有雇员约500人。ISSI 用0.25微米工艺技术生产最新进的SRAM产品，产品都是由代工服务商代为生产，台湾的TSMC、UMC、新加坡的Chartered Semiconductor都是它的合作伙伴。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8) | ¥17.70842 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥44,271.05000 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 32Mb (1M x 32) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥19.30586 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥6,718.43789 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 1.7伏~2.2伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8) | ¥20.49342 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥51,233.55750 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-miniBGA (9x11) | ¥62.10280 | 1864 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥62.10280 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II | ¥22.52175 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥33,782.62050 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8) | ¥20.08356 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥13,978.15428 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (512M x 16) 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-TWBGA（10x14） | ¥221.01130 | 3943 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥221.01130 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥17.76097 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥26,641.45050 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 50-TSOP II | ¥9.75277 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥9,752.76800 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥21.67510 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥7,022.73337 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥14.61328 | 3778 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥14.61328 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8) | ¥41.78557 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥104,463.91250 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8) | ¥19.66318 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥49,157.94250 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-TSOP I | ¥24.23479 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥48,469.57400 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 60-TFBGA (6.4x10.1) | ¥11.52886 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥28,822.16000 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 3.135V~3.6V 供应商设备包装: 28-TSOP I | ¥7.89260 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥15,785.19000 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8) | ¥20.09325 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥6,992.45204 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8) | ¥25.07554 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥8,726.28896 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 60-TFBGA (6.4x10.1) | ¥25.07554 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥7,171.60530 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8) | ¥17.87657 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥44,691.42750 | 立即购买 加入购物车 |