久芯网

品牌介绍

ISSI (芯成半导体有限公司)是Integrated Silicon Solution, Inc. 缩写。1988年成立,专门设计、开发、销售高性能存储半导体产品,用于Internet存储器件、网络设备、远程通讯和移动通讯设备、计算机外设等。公司的客户都是一些电子工业巨头,如3Com, Alcatel, Cisco, Ericsson, Hewlett Packard, IBM, Lexmark, Motorola, Nokia, Seagate等公司。ISSI是国际化大公司,公司总部设在美国加州Santa Clara,在美国、欧洲拥有分公司,在台湾有合资企业,在中国香港设有子公司,销售办事处分布在美国、欧洲、香港、中国、台湾、日本。共有雇员约500人。ISSI 用0.25微米工艺技术生产最新进的SRAM产品,产品都是由代工服务商代为生产,台湾的TSMC、UMC、新加坡的Chartered Semiconductor都是它的合作伙伴。

英文全称: ISSI

中文全称: 美国芯成

英文简称: ISSI

品牌地址: http://www.issi.com/

久芯自营
原装正品 1片起订 快至当天发货
图片
品牌型号
描述
价格
库存
交期
数量
操作
IS46DR16320E-25DBLA2-TR
IS46DR16320E-25DBLA2-TR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-TWBGA (8x12.5)

¥38.65375

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥96,634.37250

立即购买
加入购物车
IS45S16400J-7TLA1
IS45S16400J-7TLA1
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥18.70044

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥6,058.94386

立即购买
加入购物车
IS43DR16320C-3DBLI-TR
IS43DR16320C-3DBLI-TR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 84-TWBGA (8x12.5)

¥65.00358

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥162,508.94750

立即购买
加入购物车
IS43LR32800G-6BL
IS43LR32800G-6BL
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13)

¥45.94731

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥11,027.35344

立即购买
加入购物车
IS42S32200L-7TLI
IS42S32200L-7TLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (2M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II

¥25.09013

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥8,129.20212

立即购买
加入购物车
IS42SM16400M-6BLI-TR
IS42SM16400M-6BLI-TR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8)

¥24.06664

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥60,166.59000

立即购买
加入购物车
IS42S32200L-6BLI
IS42S32200L-6BLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (2M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13)

¥34.32845

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥8,238.82776

立即购买
加入购物车
IS65WV1288BLL-55HLA1
IS65WV1288BLL-55HLA1
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-sTSOP I

¥32.03100

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥14,990.50847

立即购买
加入购物车
IS42VM32100D-75BLI-TR
IS42VM32100D-75BLI-TR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 32Mb (1M x 32) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13)

¥18.11829

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥45,295.72000

立即购买
加入购物车
IS61LPS25636A-200TQLI
IS61LPS25636A-200TQLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP(14x20)

¥92.20990

22

2-3 工作日

- +

合计: ¥92.20990

立即购买
加入购物车
IS42S32200L-5TL-TR
IS42S32200L-5TL-TR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (2M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II

¥25.29624

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥37,944.36150

立即购买
加入购物车
IS42S16800F-7TLI-TR
IS42S16800F-7TLI-TR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥35.41684

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥53,125.25850

立即购买
加入购物车
IS42S16100H-6BLI-TR
IS42S16100H-6BLI-TR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 60-TFBGA (6.4x10.1)

¥11.89670

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥29,741.73750

立即购买
加入购物车
IS62WV12816EBLL-45BLI-TR
IS62WV12816EBLL-45BLI-TR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (128K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8)

¥12.04383

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥30,109.56750

立即购买
加入购物车
IS43R32400E-5BL
IS43R32400E-5BL
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 144-LFBGA (12x12)

¥29.41595

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥5,559.61361

立即购买
加入购物车
IS46DR16640C-3DBLA2
IS46DR16640C-3DBLA2
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 84-TWBGA (8x12.5)

¥53.03067

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥11,083.41087

立即购买
加入购物车
IS45S16400J-7CTLA2
IS45S16400J-7CTLA2
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥37.32956

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥8,063.18474

立即购买
加入购物车
IS61LV256AL-10JLI
IS61LV256AL-10JLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 3.135V~3.6V 供应商设备包装: 28-SOJ

¥5.47998

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥4,520.98185

立即购买
加入购物车
IS42VM32200M-6BLI-TR
IS42VM32200M-6BLI-TR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (2M x 32) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13)

¥26.33668

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥65,841.69000

立即购买
加入购物车
IS43DR86400E-3DBLI-TR
IS43DR86400E-3DBLI-TR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 60-TWBGA (8x10.5)

¥38.01267

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥76,025.34600

立即购买
加入购物车
会员中心 微信客服
客服
回到顶部