品牌介绍
ISSI （芯成半导体有限公司）是Integrated Silicon Solution, Inc. 缩写。1988年成立，专门设计、开发、销售高性能存储半导体产品，用于Internet存储器件、网络设备、远程通讯和移动通讯设备、计算机外设等。公司的客户都是一些电子工业巨头，如3Com, Alcatel, Cisco, Ericsson, Hewlett Packard, IBM, Lexmark, Motorola, Nokia, Seagate等公司。ISSI是国际化大公司，公司总部设在美国加州Santa Clara，在美国、欧洲拥有分公司，在台湾有合资企业，在中国香港设有子公司，销售办事处分布在美国、欧洲、香港、中国、台湾、日本。共有雇员约500人。ISSI 用0.25微米工艺技术生产最新进的SRAM产品，产品都是由代工服务商代为生产，台湾的TSMC、UMC、新加坡的Chartered Semiconductor都是它的合作伙伴。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (2M x 32) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥28.84843 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥6,923.62416 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8) | ¥41.49130 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥103,728.25000 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-TWBGA (8x12.5) | ¥51.75903 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥129,397.57750 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥57.30583 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥12,378.05820 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-TWBGA (8x12.5) | ¥41.49130 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥103,728.25000 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8) | ¥29.19525 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥72,988.11500 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8) | ¥19.89190 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥6,922.38155 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 60-TFBGA (8x10) | ¥26.11598 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥7,834.79340 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥1.32690 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.32690 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (128K x 16) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥60.33698 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥8,145.49203 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II | ¥17.81246 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥3,847.49222 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥39.70469 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥9,529.12656 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 60-TWBGA (8x10.5) | ¥59.36353 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥14,365.97499 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 144-LFBGA (12x12) | ¥46.26259 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥8,743.62951 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8) | ¥55.78916 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥19,414.62838 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-TWBGA (8x12.5) | ¥46.26259 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥9,668.88131 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (2M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥43.10976 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥10,346.34120 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 84-TWBGA (8x12.5) | ¥43.80338 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥9,154.90621 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (2M x 32) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥27.54526 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥6,610.86312 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II | ¥35.67958 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥7,706.78842 | 立即购买 加入购物车 |