品牌介绍
ISSI （芯成半导体有限公司）是Integrated Silicon Solution, Inc. 缩写。1988年成立，专门设计、开发、销售高性能存储半导体产品，用于Internet存储器件、网络设备、远程通讯和移动通讯设备、计算机外设等。公司的客户都是一些电子工业巨头，如3Com, Alcatel, Cisco, Ericsson, Hewlett Packard, IBM, Lexmark, Motorola, Nokia, Seagate等公司。ISSI是国际化大公司，公司总部设在美国加州Santa Clara，在美国、欧洲拥有分公司，在台湾有合资企业，在中国香港设有子公司，销售办事处分布在美国、欧洲、香港、中国、台湾、日本。共有雇员约500人。ISSI 用0.25微米工艺技术生产最新进的SRAM产品，产品都是由代工服务商代为生产，台湾的TSMC、UMC、新加坡的Chartered Semiconductor都是它的合作伙伴。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥39.25279 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥39,252.78800 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC | ¥29.35289 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥29,352.88800 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥46.87243 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥12,655.55529 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 28-SOJ | ¥8.85947 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥6,866.08538 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 32Mb (1M x 32) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥24.16122 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥11,597.38608 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 84-TWBGA (8x12.5) | ¥8.67699 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1,813.49175 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II | ¥70.26617 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥105,399.25350 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-TSOP II | ¥8.14482 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥8,144.82200 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II | ¥57.67585 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥86,513.77500 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (2M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II | ¥42.87855 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥64,317.82050 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (128K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8) | ¥14.62993 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥14,044.73664 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 84-TWBGA (8x12.5) | ¥49.57307 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥123,932.66500 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II | ¥46.75653 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥10,099.41134 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 2.3V ~ 3V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥49.04759 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥11,771.42232 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8) | ¥24.17173 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥8,411.76204 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥30.80319 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥46,204.78800 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 28-TSOP I | ¥9.99158 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥9,352.11982 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥24.02905 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥7,785.41058 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 1.65伏~2.2伏 供应商设备包装: 32-TSOP I | ¥29.20576 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥43,808.63400 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥49.04759 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥11,771.42232 | 立即购买 加入购物车 |