品牌介绍
ISSI （芯成半导体有限公司）是Integrated Silicon Solution, Inc. 缩写。1988年成立，专门设计、开发、销售高性能存储半导体产品，用于Internet存储器件、网络设备、远程通讯和移动通讯设备、计算机外设等。公司的客户都是一些电子工业巨头，如3Com, Alcatel, Cisco, Ericsson, Hewlett Packard, IBM, Lexmark, Motorola, Nokia, Seagate等公司。ISSI是国际化大公司，公司总部设在美国加州Santa Clara，在美国、欧洲拥有分公司，在台湾有合资企业，在中国香港设有子公司，销售办事处分布在美国、欧洲、香港、中国、台湾、日本。共有雇员约500人。ISSI 用0.25微米工艺技术生产最新进的SRAM产品，产品都是由代工服务商代为生产，台湾的TSMC、UMC、新加坡的Chartered Semiconductor都是它的合作伙伴。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP（14x20） | ¥70.79862 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥10,195.00171 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP（14x20） | ¥54.14468 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥7,796.83334 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP（14x20） | ¥54.14468 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥7,796.83334 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 60-TFBGA (8x10) | ¥52.18992 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥104,379.83600 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (64M x 32) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 90-WBGA (8x13) | ¥85.27366 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥213,184.15000 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-TWBGA (8x12.5) | ¥21.76507 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥4,548.89900 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-TFBGA (8x13) | ¥19.75066 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥3,752.62616 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 96-TWBGA（9x13） | ¥70.81266 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥13,454.40540 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (16M x 32) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥85.49436 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥213,735.89750 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 96-TWBGA（9x13） | ¥55.46887 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥83,203.29900 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (16M x 32) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥84.54851 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥20,291.64192 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb（256K x 36） 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP（14x20） | ¥129.69354 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥103,754.83200 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (16M x 32) 电源电压: 2.3V ~ 3V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥84.76921 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥20,344.60968 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II | ¥62.08107 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥13,409.51090 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (64M x 32) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 90-WBGA (8x13) | ¥84.87430 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥20,369.83224 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TW-BGA (8x13) | ¥126.76496 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥316,912.40250 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-miniBGA (9x11) | ¥92.80893 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥185,617.86800 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 时钟频率: 20兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥8.49375 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥3,397.49960 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 2.5伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II | ¥31.96509 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥3,452.22983 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥126.76496 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥190,147.44150 | 立即购买 加入购物车 |