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品牌介绍

ISSI (芯成半导体有限公司)是Integrated Silicon Solution, Inc. 缩写。1988年成立,专门设计、开发、销售高性能存储半导体产品,用于Internet存储器件、网络设备、远程通讯和移动通讯设备、计算机外设等。公司的客户都是一些电子工业巨头,如3Com, Alcatel, Cisco, Ericsson, Hewlett Packard, IBM, Lexmark, Motorola, Nokia, Seagate等公司。ISSI是国际化大公司,公司总部设在美国加州Santa Clara,在美国、欧洲拥有分公司,在台湾有合资企业,在中国香港设有子公司,销售办事处分布在美国、欧洲、香港、中国、台湾、日本。共有雇员约500人。ISSI 用0.25微米工艺技术生产最新进的SRAM产品,产品都是由代工服务商代为生产,台湾的TSMC、UMC、新加坡的Chartered Semiconductor都是它的合作伙伴。

英文全称: ISSI

中文全称: 美国芯成

英文简称: ISSI

品牌地址: http://www.issi.com/

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IS43LD16128B-18BL-TR
IS43LD16128B-18BL-TR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 134-TFBGA (10x11.5)

¥71.51679

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IS41LV16105D-50TLI-TR
IS41LV16105D-50TLI-TR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 50-TSOP II

¥39.15820

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2-3 工作日

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合计: ¥39,158.20300

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IS43DR86400E-25DBLI-TR
IS43DR86400E-25DBLI-TR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 60-TWBGA (8x10.5)

¥50.87624

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2-3 工作日

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合计: ¥101,752.47400

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IS46QR16256B-083RBLA2
IS46QR16256B-083RBLA2
IC DDR4 256 MB 96-FBGA

¥155.25591

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IS49NLS96400A-25WBL
IS49NLS96400A-25WBL
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (64M x 9) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 144-TWBGA (11x18.5)

¥379.80094

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IS43R86400D-6BL
IS43R86400D-6BL
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 60-TFBGA (8x13)

¥37.48925

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合计: ¥7,122.95750

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IS43R86400F-5TLI-TR
IS43R86400F-5TLI-TR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.5伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II

¥42.99415

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合计: ¥64,491.22650

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IS46TR16256A-125KBLA2
IS46TR16256A-125KBLA2
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-TWBGA(9x13)

¥141.54510

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IS46TR16256AL-15HBLA1
IS46TR16256AL-15HBLA1
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 96-TWBGA(9x13)

¥142.31894

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IS49NLC18160-33WBLI
IS49NLC18160-33WBLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 288Mb (16M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 144-TWBGA (11x18.5)

¥297.13362

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IS43R86400E-6TLI-TR
IS43R86400E-6TLI-TR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II

¥46.32565

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IS43TR16128BL-107MBLI
IS43TR16128BL-107MBLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-TWBGA(9x13)

¥25.65653

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2-3 工作日

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IS21ES32G-JCLI
IS21ES32G-JCLI
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¥290.23942

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IS21ES16G-JCLI
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IS25LP080D-JULE-TR
IS25LP080D-JULE-TR
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¥1.82738

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PM25LQ512B-SCE
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39

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PM25LQ010B-SCE
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¥1.55360

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PM25LQ020B-SCE
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IS25LP064A-JBLA3-TR
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¥7.48273

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IS25LP016D-JBLA3-TR
IS25LP016D-JBLA3-TR
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