品牌介绍
Integrated Silicon Solution，Inc.（ISSI）是为以下主要市场设计、开发和销售高性能集成电路的技术领导者：（i）汽车，（ii）通信，（iii）数字消费品，以及（iv）工业和医疗。他们的主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。该公司还设计和销售NOR闪存产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。他们以高性价比、高质量的半导体产品瞄准高增长市场，并寻求与客户建立长期关系。他们一直致力于长期提供内存产品，包括低密度和小容量产品，即使在制造能力紧张的时期也是如此。
英文全称: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
中文全称: 芯成
英文简称: ISSI
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II | ¥24.92391 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥37,385.85750 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 1.65伏～1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC | ¥9.37514 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,600.09645 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥23.54783 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9,536.86994 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x5) | ¥15.88404 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9,053.90394 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOP | ¥19.17225 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19,172.24600 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (128K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥19.17225 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19,172.24600 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-sTSOP I | ¥11.21462 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥22,429.23400 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 1.65伏～1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (8x6) | ¥6.77740 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥27,109.59600 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II | ¥19.17225 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥28,758.36900 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥23.60584 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥35,408.76300 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 24-TFBGA (6x8) | ¥26.08139 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥65,203.48250 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 24-TFBGA (6x8) | ¥26.08139 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥65,203.48250 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II | ¥23.72564 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥35,588.46000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-sTSOP I | ¥11.21462 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥22,429.23400 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 36-SOJ | ¥23.75454 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19,003.63120 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 36-SOJ | ¥23.75454 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19,003.63120 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥25.16357 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥25,163.57300 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥25.16357 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥25,163.57300 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-sTSOP I | ¥12.58179 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥25,163.57200 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (128K x 16) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8) | ¥17.66094 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,477.25264 | 添加到BOM 立即询价 |