品牌介绍
Integrated Silicon Solution，Inc.（ISSI）是为以下主要市场设计、开发和销售高性能集成电路的技术领导者：（i）汽车，（ii）通信，（iii）数字消费品，以及（iv）工业和医疗。他们的主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。该公司还设计和销售NOR闪存产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。他们以高性价比、高质量的半导体产品瞄准高增长市场，并寻求与客户建立长期关系。他们一直致力于长期提供内存产品，包括低密度和小容量产品，即使在制造能力紧张的时期也是如此。
英文全称: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
中文全称: 芯成
英文简称: ISSI
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-LFBGA (9x9) | ¥62.50623 | 263 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥62.50623 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.14伏～1.26伏 时钟频率: 1.2千兆赫 供应商设备包装: 96-BGA | ¥134.13851 | 1347 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥134.13851 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 84-TWBGA (8x12.5) | ¥71.34257 | 209 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥71.34256 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I | ¥37.30094 | 242 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥37.30094 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 1.65伏～1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥2.86768 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,603.04300 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-TWBGA (8x12.5) | ¥48.74472 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥48.74472 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥3.47659 | 3173 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.47659 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Gb (16G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-LFBGA（14x18） | ¥245.67917 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥245.67917 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥3.47659 | 686 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.47659 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (128K x 16) 电源电压: 3.135V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥34.83835 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥34.83835 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-LFBGA (11x13) | ¥65.91039 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥65.91039 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP（14x20） | ¥67.64869 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥67.64869 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 24-TFBGA (6x8) | ¥33.17248 | 35 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥33.17248 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 24-TFBGA (6x8) | ¥38.96680 | 7975 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥38.96680 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 24-TFBGA (6x8) | ¥38.96680 | 6800 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥38.96680 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥24.68431 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥37,026.46500 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II | ¥24.68431 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥37,026.46500 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 1.7伏~2.2伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8) | ¥20.41868 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9,800.96496 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC | ¥12.34357 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12,343.56700 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-TSOP I | ¥18.96829 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥37,936.57200 | 添加到BOM 立即询价 |