品牌介绍
Integrated Silicon Solution，Inc.（ISSI）是为以下主要市场设计、开发和销售高性能集成电路的技术领导者：（i）汽车，（ii）通信，（iii）数字消费品，以及（iv）工业和医疗。他们的主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。该公司还设计和销售NOR闪存产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。他们以高性价比、高质量的半导体产品瞄准高增长市场，并寻求与客户建立长期关系。他们一直致力于长期提供内存产品，包括低密度和小容量产品，即使在制造能力紧张的时期也是如此。
英文全称: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
中文全称: 芯成
英文简称: ISSI
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I | ¥39.49264 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,582.58630 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-TSOP I | ¥11.64485 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17,467.26750 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8) | ¥39.54623 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥98,865.58500 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 84-TWBGA (8x12.5) | ¥51.29045 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10,719.70426 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I | ¥33.83745 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥50,756.17950 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 1.65伏～1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (8x6) | ¥9.11439 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥36,457.57200 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (128K x 16) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8) | ¥51.41221 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥24,677.85840 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥17.97398 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17,973.98100 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 36-SOJ | ¥13.69922 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥3,643.99279 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II | ¥35.77428 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥53,661.41550 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥37.71110 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥56,566.65000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-TWBGA (8x12.5) | ¥43.89197 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥109,729.93500 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 供应商设备包装: 36-TFBGA (6x8) | ¥30.24983 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14,519.91696 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-sTSOP I | ¥11.83765 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥23,675.30200 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 28-TSOP I | ¥8.09945 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16,198.89000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-TSOP I | ¥11.83765 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥23,675.30200 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb（128M x 8） 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 78-TWBGA (8x10.5) | ¥30.32313 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥60,646.25000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-TWBGA (8x12.5) | ¥53.45260 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥133,631.50500 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 84-TWBGA (8x12.5) | ¥26.19996 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥65,499.89750 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥46.31168 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥46,311.68200 | 添加到BOM 立即询价 |