品牌介绍
Integrated Silicon Solution，Inc.（ISSI）是为以下主要市场设计、开发和销售高性能集成电路的技术领导者：（i）汽车，（ii）通信，（iii）数字消费品，以及（iv）工业和医疗。他们的主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。该公司还设计和销售NOR闪存产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。他们以高性价比、高质量的半导体产品瞄准高增长市场，并寻求与客户建立长期关系。他们一直致力于长期提供内存产品，包括低密度和小容量产品，即使在制造能力紧张的时期也是如此。
英文全称: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
中文全称: 芯成
英文简称: ISSI
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb（128M x 8） 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-TWBGA (8x10.5) | ¥37.93150 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥75,863.00400 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8) | ¥37.94823 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13,205.98508 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 1.65伏~2.2伏 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥39.97893 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10,794.30975 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (128K x 16) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥41.34972 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥41,349.71600 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb（128M x 8） 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 60-TWBGA (8x10.5) | ¥39.97900 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9,674.91727 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II | ¥41.34972 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥62,024.57400 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb（128M x 8） 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 60-TWBGA (8x10.5) | ¥39.97900 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9,674.91727 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II | ¥34.06531 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥51,097.97100 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 1.65伏~2.2伏 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥35.88821 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥35,888.20700 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8) | ¥35.91769 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12,499.35473 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (128K x 16) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8) | ¥39.98733 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19,193.91696 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-sTSOP I | ¥11.98265 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥23,965.30800 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 512Kb (32K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-SOJ | ¥15.12491 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12,099.93040 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8) | ¥11.98265 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥29,956.63500 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II | ¥41.40360 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,943.17825 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-TFBGA (8x13) | ¥46.60806 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥116,520.15500 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II | ¥41.40360 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,943.17825 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ | ¥15.12491 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12,099.93040 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb（128M x 8） 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 78-TWBGA (8x10.5) | ¥34.14071 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,262.05255 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-TSOP I | ¥16.77572 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥33,551.43000 | 添加到BOM 立即询价 |