久芯网

品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay Siliconix

中文全称: 黑森尔

英文简称: Vishay Siliconix

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/siliconix/

久芯自营
原装正品 1片起订 快至当天发货
图片
品牌型号
描述
价格
库存
交期
数量
操作
IRFI9Z24G
IRFI9Z24G
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.5A (Tc) 最大功耗: 37W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥16.06475

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥16.06475

添加到BOM
立即询价
IRFI9520G
IRFI9520G
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.2A (Tc) 最大功耗: 37W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥111.91729

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥111.91729

添加到BOM
立即询价
IRFP450LC
IRFP450LC
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A(Tc) 最大功耗: 190W(Tc) 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥36.30142

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥36.30142

添加到BOM
立即询价
IRL510S
IRL510S
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.6A (Tc) 最大功耗: 3.7W (Ta), 43W (Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥5.33077

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.33077

添加到BOM
立即询价
SI1011X-T1-GE3
SI1011X-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 480毫安 (Ta) 最大功耗: 190毫瓦(Ta) 供应商设备包装: SC-89-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥67.28654

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥67.28654

添加到BOM
立即询价
SIB417AEDK-T1-GE3
SIB417AEDK-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 8 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A(Tc) 最大功耗: 2.4W(Ta)、13W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSC-75-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥13.26899

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥13.26899

添加到BOM
立即询价
SI2392DS-T1-GE3
SI2392DS-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.1A(Tc) 最大功耗: 1.25W(Ta)、2.5W(Tc) 供应商设备包装: SOT-23 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.62049

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.62049

添加到BOM
立即询价
SI5415EDU-T1-GE3
SI5415EDU-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、31W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKChipFet单 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥57.36377

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥57.36377

添加到BOM
立即询价
SIA439EDJ-T1-GE3
SIA439EDJ-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 28A(Tc) 最大功耗: 3.5W (Ta), 19W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥18.62874

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥18.62874

添加到BOM
立即询价
SIA467EDJ-T1-GE3
SIA467EDJ-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 31A (Tc) 最大功耗: 3.5W (Ta), 19W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6单 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥20.12078

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥20.12078

添加到BOM
立即询价
IRF820AS
IRF820AS
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A(Tc) 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥21.61281

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥21.61281

添加到BOM
立即询价
IRF840LCS
IRF840LCS
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、125W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.80833

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.80833

添加到BOM
立即询价
IRFBC20S
IRFBC20S
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.2A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、50W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥64.27350

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥64.27350

添加到BOM
立即询价
IRFS9N60A
IRFS9N60A
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.2A (Tc) 最大功耗: 170W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥107.96267

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥107.96267

添加到BOM
立即询价
SI9410BDY-T1-E3
SI9410BDY-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.2A (Ta) 最大功耗: 1.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.96815

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.96815

添加到BOM
立即询价
SI1065X-T1-GE3
SI1065X-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.18A(Ta) 最大功耗: 236毫瓦(Ta) 供应商设备包装: SC-89(SOT-563F) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥15.70261

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥15.70261

添加到BOM
立即询价
SI1071X-T1-GE3
SI1071X-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 960毫安(Ta) 最大功耗: 236毫瓦(Ta) 供应商设备包装: SC-89(SOT-563F) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥21.93150

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥21.93150

添加到BOM
立即询价
SI2351DS-T1-GE3
SI2351DS-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.8A(Tc) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)

¥13.74702

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥13.74702

添加到BOM
立即询价
SI4825DY-T1-GE3
SI4825DY-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.1A (Ta) 最大功耗: 1.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥60.98522

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥60.98522

添加到BOM
立即询价
SI5435BDC-T1-GE3
SI5435BDC-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.3A (Ta) 最大功耗: 1.3W(Ta) 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥84.30736

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥84.30736

添加到BOM
立即询价
会员中心 微信客服
客服
回到顶部