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品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay Siliconix

中文全称: 黑森尔

英文简称: Vishay Siliconix

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/siliconix/

久芯自营
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描述
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SI5447DC-T1-GE3
SI5447DC-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.5A(Ta) 最大功耗: 1.3W(Ta) 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥61.65157

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥61.65157

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SI6410DQ-T1-GE3
SI6410DQ-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.8A (Ta) 最大功耗: 1.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.22937

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.22937

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SI6433BDQ-T1-GE3
SI6433BDQ-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Ta) 最大功耗: 1.05W(Ta) 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥84.72744

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥84.72744

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SI6435ADQ-T1-GE3
SI6435ADQ-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.7A (Ta) 供应商设备包装: 8-TSSOP

¥6.02609

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.02609

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SI6459BDQ-T1-GE3
SI6459BDQ-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.2A(Ta) 最大功耗: 1W(Ta) 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥56.62499

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥56.62499

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SI6463BDQ-T1-GE3
SI6463BDQ-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.2A (Ta) 供应商设备包装: 8-TSSOP

¥11.54518

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥11.54518

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SI7107DN-T1-GE3
SI7107DN-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.8A (Ta) 最大功耗: 1.5W(Ta) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥20.06283

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥20.06283

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2N7002-E3
2N7002-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 115毫安(Ta) 最大功耗: 200mW(Ta) 供应商设备包装: TO-236 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥83.66998

9000

5-7 工作日

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合计: ¥83.66998

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SIB410DK-T1-GE3
SIB410DK-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、13W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSC-75-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥8.25691

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥8.25691

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SI7120DN-T1-GE3
SI7120DN-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.3A (Ta) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8

¥46.86156

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥46.86156

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2N7002-T1-E3
2N7002-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 115毫安(Ta) 最大功耗: 200mW(Ta) 供应商设备包装: TO-236 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥55.40819

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥55.40819

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SI7366DP-T1-GE3
SI7366DP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A(Ta) 最大功耗: 1.7W(Ta) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.46207

9000

5-7 工作日

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合计: ¥7.46207

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SI7411DN-T1-GE3
SI7411DN-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.5A (Ta) 最大功耗: 1.5W(Ta) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥40.38641

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥40.38641

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SI7459DP-T1-GE3
SI7459DP-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A(Ta) 最大功耗: 1.9W(Ta) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥17.41193

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥17.41193

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SI7483ADP-T1-GE3
SI7483ADP-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A(Ta) 最大功耗: 1.9W(Ta) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥17.52782

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥17.52782

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SI7485DP-T1-GE3
SI7485DP-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12.5A(Ta) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8

¥142.17813

9000

5-7 工作日

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合计: ¥142.17813

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SIA411DJ-T1-GE3
SIA411DJ-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 3.5W (Ta), 19W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥37.32991

9000

5-7 工作日

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合计: ¥37.32991

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SUD06N10-225L-GE3
SUD06N10-225L-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.5A (Tc) 最大功耗: 1.25W(Ta),16.7W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥20.67124

9000

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合计: ¥20.67124

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SIR330DP-T1-GE3
SIR330DP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Tc) 最大功耗: 5W (Ta), 27.7W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥20.36704

9000

5-7 工作日

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合计: ¥20.36704

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SI8416DB-T1-GE3
SI8416DB-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 8 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A(Tc) 最大功耗: 2.77W(Ta),13W(Tc) 供应商设备包装: 6-microfoot 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥53.22083

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥53.22083

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