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品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay Siliconix

中文全称: 黑森尔

英文简称: Vishay Siliconix

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/siliconix/

久芯自营
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品牌型号
描述
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2N6661JTXP02
2N6661JTXP02
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 90 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 860毫安 (Tc) 最大功耗: 725mW (Ta), 6.25W (Tc) 供应商设备包装: TO-39 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥86.13257

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥86.13257

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2N6661JTXV02
2N6661JTXV02
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 90 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 860毫安 (Tc) 最大功耗: 725mW (Ta), 6.25W (Tc) 供应商设备包装: TO-39 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥15.91989

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥15.91989

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3N163
3N163
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50毫安 (Ta) 最大功耗: 375mW (Ta) 供应商设备包装: TO-72 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.70405

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥12.70405

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3N163-E3
3N163-E3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50毫安 (Ta) 最大功耗: 375mW (Ta) 供应商设备包装: TO-72 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥13.44282

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥13.44282

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3N164
3N164
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50毫安 (Ta) 最大功耗: 375mW (Ta) 供应商设备包装: TO-72 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥77.16586

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥77.16586

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IRFD113
IRFD113
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 800毫安 (Tc) 最大功耗: 1W(Tc) 供应商设备包装: 4-HVMDIP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥32.53511

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥32.53511

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IRFD213
IRFD213
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 450毫安 (Ta) 供应商设备包装: 4-HVMDIP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥86.78443

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥86.78443

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IRFD9123
IRFD9123
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1A(Ta) 供应商设备包装: 4-HVMDIP

¥27.10293

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥27.10293

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IRFP21N60L
IRFP21N60L
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A(Tc) 最大功耗: 330W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥23.03242

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥23.03242

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IRFP22N60K
IRFP22N60K
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 22A(Tc) 最大功耗: 370W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.35735

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥10.35735

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IRFP26N60L
IRFP26N60L
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 26A(Tc) 最大功耗: 470W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.66059

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥12.66059

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IRFPS38N60L
IRFPS38N60L
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 38A (Tc) 最大功耗: 540W (Tc) 供应商设备包装: 超级247(至274AA) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥102.54498

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥102.54498

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IRFPS40N60K
IRFPS40N60K
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc) 最大功耗: 570W (Tc) 供应商设备包装: 超级247(至274AA) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥71.89303

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥71.89302

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SI4752DY-T1-GE3
SI4752DY-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A(Tc) 最大功耗: 3W (Ta), 6.25W (Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥23.07588

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥23.07588

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SI8809EDB-T2-E1
SI8809EDB-T2-E1
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.94(Ta) 最大功耗: 500mW (Ta) 供应商设备包装: 4-Microfoot 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.77983

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.77983

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SIHW23N60E-GE3
SIHW23N60E-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 23A(Tc) 最大功耗: 227W(Tc) 供应商设备包装: TO-247AD 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.29892

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥11.29892

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SIHW47N65E-GE3
SIHW47N65E-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 47A (Tc) 最大功耗: 417W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AD 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥35.70750

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥35.70750

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SQ2319ES-T1-GE3
SQ2319ES-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.6A (Tc) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)

¥25.20529

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥25.20529

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SIR482DP-T1-GE3
SIR482DP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Tc) 最大功耗: 5W (Ta), 27.7W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥64.04172

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥64.04172

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SIR814DP-T1-GE3
SIR814DP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 6.25W (Ta), 104W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥38.90886

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥38.90886

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