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品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay Siliconix

中文全称: 黑森尔

英文简称: Vishay Siliconix

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/siliconix/

久芯自营
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描述
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SIS330DN-T1-GE3
SIS330DN-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Tc) 最大功耗: 3.7W (Ta), 52W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥24.45203

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥24.45203

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SIS334DN-T1-GE3
SIS334DN-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 50W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.20861

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.20861

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SIS448DN-T1-GE3
SIS448DN-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Tc) 最大功耗: 3.7W (Ta), 52W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥52.54000

9000

5-7 工作日

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合计: ¥52.54000

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SUD50N03-06AP-T4E3
SUD50N03-06AP-T4E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 90A (Tc) 最大功耗: 10W(Ta)、83W(Tc) 供应商设备包装: TO-252 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥19.51670

9000

5-7 工作日

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合计: ¥19.51670

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SUP53P06-20-GE3
SUP53P06-20-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.2A (Ta), 53A (Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、104.2W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥88.92833

9000

5-7 工作日

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合计: ¥88.92833

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VP0808B
VP0808B
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 880毫安 (Ta) 最大功耗: 6.25W (Ta) 供应商设备包装: TO-39 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥36.08413

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥36.08413

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SISA18DN-T1-GE3
SISA18DN-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 38.3A (Tc) 最大功耗: 3.2W(Ta),19.8W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥63.75201

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥63.75201

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VP1008B
VP1008B
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 790毫安 (Ta) 最大功耗: 6.25W (Ta) 供应商设备包装: TO-39 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥22.29365

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥22.29365

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SIR642DP-T1-GE3
SIR642DP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 4.8W (Ta), 41.7W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥14.96383

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥14.96383

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VQ1004P
VQ1004P
MOSFET N-CH 60V 0.4A TO-205

¥19.94695

9000

5-7 工作日

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合计: ¥19.94695

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SIA448DJ-T1-GE3
SIA448DJ-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 3.5W (Ta), 19.2W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.11061

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥11.11061

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SI8805EDB-T2-E1
SI8805EDB-T2-E1
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 8 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.2A(Ta) 最大功耗: 500mW (Ta) 供应商设备包装: 4-Microfoot 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥54.69838

9000

5-7 工作日

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合计: ¥54.69838

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SI4406DY-T1-E3
SI4406DY-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A(Ta) 最大功耗: 1.6W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥50.13535

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥50.13535

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SI4406DY-T1-GE3
SI4406DY-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A(Ta) 最大功耗: 1.6W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥74.06590

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥74.06590

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SI4409DY-T1-E3
SI4409DY-T1-E3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.3A(Tc) 最大功耗: 2.2W(Ta)、4.6W(Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.37135

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥11.37135

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SI4411DY-T1-E3
SI4411DY-T1-E3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A(Ta) 最大功耗: 1.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥36.17104

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥36.17104

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SI4411DY-T1-GE3
SI4411DY-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A(Ta) 最大功耗: 1.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.09900

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.09900

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SI4412ADY-T1-GE3
SI4412ADY-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.8A (Ta) 最大功耗: 1.3W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥21.07684

9000

5-7 工作日

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合计: ¥21.07684

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SI4426DY-T1-GE3
SI4426DY-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.5A (Ta) 最大功耗: 1.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.24338

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.24338

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SI4438DY-T1-E3
SI4438DY-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 36A (Tc) 最大功耗: 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥35.69301

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥35.69301

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