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品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay Siliconix

中文全称: 黑森尔

英文简称: Vishay Siliconix

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/siliconix/

久芯自营
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品牌型号
描述
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SI4688DY-T1-E3
SI4688DY-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.9A (Ta) 最大功耗: 1.4W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥8.22793

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥8.22793

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SI4823DY-T1-E3
SI4823DY-T1-E3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.1A (Tc) 最大功耗: 1.7W(Ta)、2.8W(Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥22.59785

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥22.59785

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SI4829DY-T1-E3
SI4829DY-T1-E3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A(Tc) 最大功耗: 2W(Ta),3.1W(Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.12509

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥11.12509

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SI4831BDY-T1-E3
SI4831BDY-T1-E3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.6A (Tc) 最大功耗: 2W(Ta),3.3W(Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥13.15311

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥13.15311

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SI4831BDY-T1-GE3
SI4831BDY-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.6A (Tc) 最大功耗: 2W(Ta),3.3W(Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥37.34439

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥37.34439

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SI4833ADY-T1-GE3
SI4833ADY-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.6A (Tc) 最大功耗: 1.93W(Ta)、2.75W(Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥37.25748

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥37.25748

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SI4836DY-T1-GE3
SI4836DY-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A(Ta) 最大功耗: 1.6W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥13.38488

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥13.38488

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SI4840DY-T1-GE3
SI4840DY-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Ta) 最大功耗: 1.56W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥15.61569

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥15.61569

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SI4850EY-T1
SI4850EY-T1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Ta) 最大功耗: 1.7W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥47.41202

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥47.41202

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SI4858DY-T1-E3
SI4858DY-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A(Ta) 最大功耗: 1.6W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.82041

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥11.82041

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SI4858DY-T1-GE3
SI4858DY-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A(Ta) 最大功耗: 1.6W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥18.33902

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥18.33902

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SI4712DY-T1-GE3
SI4712DY-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14.6A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta),5W(Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.88172

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.88172

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SI4860DY-T1-GE3
SI4860DY-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Ta) 最大功耗: 1.6W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥29.69589

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥29.69589

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SI4862DY-T1-GE3
SI4862DY-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 16伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A(Ta) 最大功耗: 1.6W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.49060

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.49060

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SI4876DY-T1-GE3
SI4876DY-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A(Ta) 最大功耗: 1.6W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥9.38680

9000

5-7 工作日

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合计: ¥9.38680

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SI4880DY-T1-E3
SI4880DY-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A(Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥21.29413

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥21.29413

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SI4880DY-T1-GE3
SI4880DY-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A(Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.06907

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.06907

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SI4884BDY-T1-GE3
SI4884BDY-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16.5A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta),4.45W(Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.69196

9000

5-7 工作日

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合计: ¥7.69196

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V30392-T1-GE3
V30392-T1-GE3
MOSFET N-CH SMD

¥11.03818

9000

5-7 工作日

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合计: ¥11.03818

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SI4886DY-T1-E3
SI4886DY-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.5A (Ta) 最大功耗: 1.56W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.96863

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.96863

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