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品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay Siliconix

中文全称: 黑森尔

英文简称: Vishay Siliconix

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/siliconix/

久芯自营
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品牌型号
描述
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SI3460DV-T1-E3
SI3460DV-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.1A (Ta) 最大功耗: 1.1W(Ta) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥77.55697

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥77.55697

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SI3481DV-T1-E3
SI3481DV-T1-E3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Ta) 最大功耗: 1.14W(Ta) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥9.25643

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥9.25643

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SI4866BDY-T1-E3
SI4866BDY-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 21.5A(Tc) 最大功耗: 4.45W (Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥47.00642

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥47.00642

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SI4401DY-T1-E3
SI4401DY-T1-E3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.7A (Ta) 最大功耗: 1.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.72189

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.72189

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SI3483DV-T1-E3
SI3483DV-T1-E3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.7A (Ta) 最大功耗: 1.14W(Ta) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥88.16058

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥88.16058

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SIR172DP-T1-GE3
SIR172DP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Tc) 最大功耗: 29.8W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.28732

9000

5-7 工作日

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合计: ¥5.28732

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SI4404DY-T1-E3
SI4404DY-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Ta) 最大功耗: 1.6W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥9.67651

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥9.67651

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SI3495DV-T1-E3
SI3495DV-T1-E3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.3A (Ta) 最大功耗: 1.1W(Ta) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.25595

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥10.25595

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SUP85N03-3M6P-GE3
SUP85N03-3M6P-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 85A (Tc) 最大功耗: 3.1W (Ta), 78.1W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥3.92565

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.92565

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SI4412ADY-T1-E3
SI4412ADY-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.8A (Ta) 最大功耗: 1.3W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥13.31245

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥13.31245

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SI3499DV-T1-E3
SI3499DV-T1-E3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 8 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.3A (Ta) 最大功耗: 1.1W(Ta) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥114.53922

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥114.53922

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SI4836DY-T1-E3
SI4836DY-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A(Ta) 最大功耗: 1.6W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥68.09775

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥68.09775

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SI3812DV-T1-E3
SI3812DV-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A(Ta) 最大功耗: 830mW (Ta) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥19.00537

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥19.00537

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SI4860DY-T1-E3
SI4860DY-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Ta) 最大功耗: 1.6W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥137.96276

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥137.96276

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SI3853DV-T1-E3
SI3853DV-T1-E3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.6A(Ta) 最大功耗: 830mW (Ta) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥39.06820

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥39.06820

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SI4884BDY-T1-E3
SI4884BDY-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16.5A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta),4.45W(Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥19.09228

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥19.09228

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SI3867DV-T1-E3
SI3867DV-T1-E3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.9A (Ta) 最大功耗: 1.1W(Ta) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.44666

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.44666

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SI4888DY-T1-E3
SI4888DY-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Ta) 最大功耗: 1.6W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥83.95970

9000

5-7 工作日

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合计: ¥83.95970

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SI4322DY-T1-E3
SI4322DY-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、5.4W(Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.11061

9000

5-7 工作日

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合计: ¥11.11061

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SI1307DL-T1-E3
SI1307DL-T1-E3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 850毫安 (Ta) 最大功耗: 290mW(Ta) 供应商设备包装: SC-70-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.17047

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.17047

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