久芯网

品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay Siliconix

中文全称: 黑森尔

英文简称: Vishay Siliconix

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/siliconix/

久芯自营
原装正品 1片起订 快至当天发货
图片
品牌型号
描述
价格
库存
交期
数量
操作
SUD17N25-165-E3
SUD17N25-165-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A(Tc) 最大功耗: 3W (Ta), 136W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥55.42267

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥55.42267

添加到BOM
立即询价
SI5480DU-T1-E3
SI5480DU-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、31W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKChipFET仅有一个的 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥46.80362

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥46.80362

添加到BOM
立即询价
SI4172DY-T1-GE3
SI4172DY-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、4.5W(Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥13.00825

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥13.00825

添加到BOM
立即询价
SI5481DU-T1-E3
SI5481DU-T1-E3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta),17.8W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKChipFET仅有一个的 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥69.34353

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥69.34353

添加到BOM
立即询价
SI5855CDC-T1-E3
SI5855CDC-T1-E3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.7A (Tc) 最大功耗: 1.3W(Ta)、2.8W(Tc) 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥15.77504

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥15.77504

添加到BOM
立即询价
SI5482DU-T1-E3
SI5482DU-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、31W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKChipFET仅有一个的 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥27.23330

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥27.23330

添加到BOM
立即询价
SIE876DF-T1-GE3
SIE876DF-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 5.2W (Ta), 125W (Tc) 供应商设备包装: 10 PolarPAK(L) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.57751

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.57751

添加到BOM
立即询价
SI5484DU-T1-E3
SI5484DU-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、31W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKChipFET仅有一个的 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥41.37145

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥41.37145

添加到BOM
立即询价
IRFZ44STRRPBF
IRFZ44STRRPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 3.7W (Ta), 150W (Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥43.44291

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥43.44291

添加到BOM
立即询价
SI5485DU-T1-E3
SI5485DU-T1-E3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、31W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKChipFET仅有一个的 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥25.72678

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥25.72678

添加到BOM
立即询价
SI1406DH-T1-E3
SI1406DH-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.1A(Ta) 最大功耗: 1W(Ta) 供应商设备包装: SC-70-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥13.24002

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥13.24002

添加到BOM
立即询价
SI5486DU-T1-E3
SI5486DU-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、31W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKChipFET仅有一个的 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥79.17938

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥79.17938

添加到BOM
立即询价
SI4410BDY-T1-E3
SI4410BDY-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.5A (Ta) 最大功耗: 1.4W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥148.65328

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥148.65328

添加到BOM
立即询价
SI5499DC-T1-E3
SI5499DC-T1-E3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 8 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Tc) 最大功耗: 2.5W (Ta), 6.2W (Tc) 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥9.44474

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥9.44474

添加到BOM
立即询价
SIB408DK-T1-GE3
SIB408DK-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Tc) 最大功耗: 2.4W(Ta)、13W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSC-75-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.88124

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.88124

添加到BOM
立即询价
SI5853DC-T1-E3
SI5853DC-T1-E3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.7A(Ta) 最大功耗: 1.1W(Ta) 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥17.16567

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥17.16567

添加到BOM
立即询价
SIHB22N60S-E3
SIHB22N60S-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 22A(Tc) 最大功耗: 250W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263)

¥7.01113

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.01113

添加到BOM
立即询价
SI5855DC-T1-E3
SI5855DC-T1-E3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.7A(Ta) 最大功耗: 1.1W(Ta) 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥20.85955

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥20.85955

添加到BOM
立即询价
SIHF22N60S-E3
SIHF22N60S-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 22A(Tc) 最大功耗: 250W(Tc) 供应商设备包装: TO-220 Full Pack 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥23.24971

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥23.24971

添加到BOM
立即询价
SI5856DC-T1-E3
SI5856DC-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.4A (Ta) 最大功耗: 1.1W(Ta) 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.24386

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.24386

添加到BOM
立即询价
会员中心 微信客服
客服
回到顶部