Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。
英文全称: Vishay Siliconix
中文全称: 黑森尔
英文简称: Vishay Siliconix
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A(Tc) 最大功耗: 3W (Ta), 136W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥55.42267 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥55.42267 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、31W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKChipFET仅有一个的 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥46.80362 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥46.80362 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、4.5W(Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥13.00825 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.00825 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta),17.8W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKChipFET仅有一个的 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥69.34353 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥69.34353 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.7A (Tc) 最大功耗: 1.3W(Ta)、2.8W(Tc) 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥15.77504 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15.77504 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、31W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKChipFET仅有一个的 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥27.23330 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥27.23330 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 5.2W (Ta), 125W (Tc) 供应商设备包装: 10 PolarPAK(L) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥4.57751 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.57751 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、31W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKChipFET仅有一个的 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥41.37145 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥41.37145 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 3.7W (Ta), 150W (Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥43.44291 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥43.44291 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、31W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKChipFET仅有一个的 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥25.72678 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥25.72678 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.1A(Ta) 最大功耗: 1W(Ta) 供应商设备包装: SC-70-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥13.24002 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.24002 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、31W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKChipFET仅有一个的 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥79.17938 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥79.17938 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.5A (Ta) 最大功耗: 1.4W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥148.65328 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥148.65328 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 8 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Tc) 最大功耗: 2.5W (Ta), 6.2W (Tc) 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥9.44474 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.44474 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Tc) 最大功耗: 2.4W(Ta)、13W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSC-75-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥5.88124 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.88124 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.7A(Ta) 最大功耗: 1.1W(Ta) 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥17.16567 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17.16567 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 22A(Tc) 最大功耗: 250W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) | ¥7.01113 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.01113 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.7A(Ta) 最大功耗: 1.1W(Ta) 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥20.85955 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥20.85955 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 22A(Tc) 最大功耗: 250W(Tc) 供应商设备包装: TO-220 Full Pack 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥23.24971 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥23.24971 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.4A (Ta) 最大功耗: 1.1W(Ta) 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥5.24386 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.24386 | 添加到BOM 立即询价 |