品牌介绍
Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体（二极管、MOSFET和光电子）和无源元件（电阻器、电感器和电容器）的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。
英文全称: Vishay Siliconix
中文全称: 黑森尔
英文简称: Vishay Siliconix
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.8A（Tc） 供应商设备包装: SC-70-6 | ¥5.76535 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.76535 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.2A (Ta) 最大功耗: 1.3W（Ta） 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥131.67592 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥131.67592 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.4A (Tc) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) | ¥27.23330 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥27.23330 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.9A (Ta) 最大功耗: 1.3W（Ta） 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥21.78664 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21.78664 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.3A (Tc) 供应商设备包装: 6-TSOP | ¥16.55727 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16.55727 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.9A (Ta) 最大功耗: 1.3W（Ta） 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥12.05219 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.05219 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc) 最大功耗: 5W (Ta), 44.5W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥65.69310 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥65.69310 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.8A (Ta) 最大功耗: 1.3W（Ta） 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥39.01026 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥39.01026 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.7A (Tc) 最大功耗: 2.5W（Ta）、42W（Tc） 供应商设备包装: TO-251AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥15.21009 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15.21009 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.3A (Ta) 最大功耗: 1.3W（Ta） 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥11.89284 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.89284 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 90A (Tc) 最大功耗: 3.75W (Ta), 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥4.54854 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.54854 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 8 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.2A (Ta) 最大功耗: 1.3W（Ta） 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥55.98762 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥55.98762 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 52W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥18.91846 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥18.91846 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.5A（Ta） 最大功耗: 1.3W（Ta） 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥47.22804 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥47.22804 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 190伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 950毫安（Tc） 最大功耗: 1.9W（Ta），7W（Tc） 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥8.05411 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.05411 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.8A (Ta) 最大功耗: 1.25W（Ta） 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥7.12654 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.12654 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Tc） 最大功耗: 3.9W (Ta), 29.8W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥22.74271 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥22.74271 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.9A (Ta) 最大功耗: 1.3W（Ta） 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥20.12078 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥20.12078 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 5.2W (Ta), 125W (Tc) 供应商设备包装: 10 PolarPAK（L） 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥39.35792 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥39.35792 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Tc） 最大功耗: 3.1W（Ta）、31W（Tc） 供应商设备包装: PowerPAKChipFET仅有一个的 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.76583 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.76583 | 添加到BOM 立即询价 |