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品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay Siliconix

中文全称: 黑森尔

英文简称: Vishay Siliconix

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/siliconix/

久芯自营
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品牌型号
描述
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SI4486EY-T1-E3
SI4486EY-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.4A (Ta) 最大功耗: 1.8W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥36.17104

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥36.17104

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SI4620DY-T1-E3
SI4620DY-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Ta), 7.5A (Tc) 最大功耗: 2W(Ta),3.1W(Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.11061

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥11.11061

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SI4621DY-T1-E3
SI4621DY-T1-E3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.2A (Tc) 最大功耗: 2W(Ta),3.1W(Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥44.65972

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥44.65972

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SI4642DY-T1-E3
SI4642DY-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 34A (Tc) 最大功耗: 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥39.61819

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥39.61818

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SI4812BDY-T1-E3
SI4812BDY-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.3A (Ta) 最大功耗: 1.4W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥15.15215

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥15.15215

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SI4825DY-T1-E3
SI4825DY-T1-E3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.1A (Ta) 最大功耗: 1.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥56.42219

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥56.42219

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SQ1420EEH-T1-GE3
SQ1420EEH-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.6A(Tc) 供应商设备包装: SC-70-6

¥10.45875

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥10.45875

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SI4831DY-T1-E3
SI4831DY-T1-E3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥16.02130

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥16.02129

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SQ2361EES-T1-GE3
SQ2361EES-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A(Tc) 最大功耗: 2W(Tc) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥16.12270

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥16.12270

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SI4833ADY-T1-E3
SI4833ADY-T1-E3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.6A (Tc) 最大功耗: 1.93W(Ta)、2.75W(Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥128.03999

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥128.03999

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IRFB17N60KPBF
IRFB17N60KPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A(Tc) 最大功耗: 340W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥16.42690

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥16.42690

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SQ3427EEV-T1-GE3
SQ3427EEV-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.5A (Tc) 最大功耗: 5W (Tc) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥4.67891

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.67891

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SI4835BDY-T1-E3
SI4835BDY-T1-E3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.4A (Ta) 最大功耗: 1.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥37.15608

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥37.15608

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SQ3419EEV-T1-GE3
SQ3419EEV-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.4A (Tc) 最大功耗: 5W (Tc) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥18.12174

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥18.12174

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SI4840DY-T1-E3
SI4840DY-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Ta) 最大功耗: 1.56W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥157.01159

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥157.01159

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IRFBA22N50APBF
IRFBA22N50APBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 24A(Tc) 最大功耗: 340W (Tc) 供应商设备包装: 超220(至273AA) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.25499

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥12.25499

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SQ3418EEV-T1-GE3
SQ3418EEV-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 供应商设备包装: 6-TSOP

¥44.44243

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥44.44243

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SI4845DY-T1-E3
SI4845DY-T1-E3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.7A(Tc) 最大功耗: 1.75W(Ta)、2.75W(Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.63402

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.63402

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SQ3426EEV-T1-GE3
SQ3426EEV-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Tc) 供应商设备包装: 6-TSOP

¥41.22659

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥41.22659

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SI4876DY-T1-E3
SI4876DY-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A(Ta) 最大功耗: 1.6W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥143.67016

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥143.67016

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