Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。
英文全称: Vishay Siliconix
中文全称: 黑森尔
英文简称: Vishay Siliconix
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A(Ta) 最大功耗: 1.6W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.33173 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.33173 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 450伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.9A (Tc) 最大功耗: 74W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥70.83556 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥70.83556 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 8 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.6A(Ta) 最大功耗: 568mW (Ta) 供应商设备包装: SC-70-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥4.09948 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.09948 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.9A (Ta) 最大功耗: 1.31W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥51.42459 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥51.42459 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 8 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.4A (Tc) 最大功耗: 960mW(Ta),1.7W(Tc) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥37.93831 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥37.93831 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 19A(Ta) 最大功耗: 1.6W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥4.20088 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.20088 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.2A(Ta) 最大功耗: 750mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥152.70930 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥152.70930 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Ta) 最大功耗: 1.47W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥13.22554 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.22554 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 8 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.4A (Ta) 最大功耗: 1.1W(Ta) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥51.23628 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥51.23628 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、5.4W(Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥33.24491 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥33.24491 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.2A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、50W(Tc) 供应商设备包装: TO-262-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥17.23810 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17.23810 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 8 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.6A (Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥51.10590 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥51.10590 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 19A(Ta) 最大功耗: 1.6W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥5.79432 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.79432 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.1A (Tc) 最大功耗: 74W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-5 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥19.48340 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19.48340 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.3A (Ta) 最大功耗: 1.35W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥32.92622 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥32.92622 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、130W(Tc) 供应商设备包装: TO-262-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥6.95318 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.95318 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 30V | ¥55.42267 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥55.42267 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.3A(Ta) 最大功耗: 1.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥66.14216 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥66.14216 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.5A (Tc) 最大功耗: 74W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-5 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥19.09228 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19.09228 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 30V | ¥126.21478 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥126.21478 | 添加到BOM 立即询价 |