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品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay Siliconix

中文全称: 黑森尔

英文简称: Vishay Siliconix

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/siliconix/

久芯自营
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品牌型号
描述
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SI4336DY-T1-E3
SI4336DY-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A(Ta) 最大功耗: 1.6W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.33173

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.33173

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IRF734PBF
IRF734PBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 450伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.9A (Tc) 最大功耗: 74W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥70.83556

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥70.83556

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SI1405DL-T1-E3
SI1405DL-T1-E3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 8 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.6A(Ta) 最大功耗: 568mW (Ta) 供应商设备包装: SC-70-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.09948

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.09948

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SI4346DY-T1-E3
SI4346DY-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.9A (Ta) 最大功耗: 1.31W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥51.42459

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥51.42459

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SI2305ADS-T1-E3
SI2305ADS-T1-E3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 8 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.4A (Tc) 最大功耗: 960mW(Ta),1.7W(Tc) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥37.93831

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥37.93831

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SI4378DY-T1-E3
SI4378DY-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 19A(Ta) 最大功耗: 1.6W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.20088

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.20088

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SI2335DS-T1-E3
SI2335DS-T1-E3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.2A(Ta) 最大功耗: 750mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥152.70930

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥152.70930

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SI4384DY-T1-E3
SI4384DY-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Ta) 最大功耗: 1.47W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥13.22554

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥13.22554

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SI3445ADV-T1-E3
SI3445ADV-T1-E3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 8 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.4A (Ta) 最大功耗: 1.1W(Ta) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥51.23628

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥51.23628

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SI4396DY-T1-E3
SI4396DY-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、5.4W(Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥33.24491

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥33.24491

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IRFBC20LPBF
IRFBC20LPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.2A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、50W(Tc) 供应商设备包装: TO-262-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥17.23810

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥17.23810

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SI3445DV-T1-E3
SI3445DV-T1-E3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 8 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.6A (Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥51.10590

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥51.10590

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SI4398DY-T1-E3
SI4398DY-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 19A(Ta) 最大功耗: 1.6W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.79432

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.79432

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IRC634PBF
IRC634PBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.1A (Tc) 最大功耗: 74W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-5 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥19.48340

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥19.48340

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SI4403BDY-T1-E3
SI4403BDY-T1-E3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.3A (Ta) 最大功耗: 1.35W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥32.92622

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥32.92622

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IRF640LPBF
IRF640LPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、130W(Tc) 供应商设备包装: TO-262-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.95318

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.95318

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SI4128BDY-T1-GE3
SI4128BDY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V

¥55.42267

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥55.42267

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SI4418DY-T1-E3
SI4418DY-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.3A(Ta) 最大功耗: 1.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥66.14216

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥66.14216

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IRC730PBF
IRC730PBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.5A (Tc) 最大功耗: 74W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-5 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥19.09228

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥19.09228

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SIR774DP-T1-GE3
SIR774DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V

¥126.21478

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥126.21478

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