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品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay Siliconix

中文全称: 黑森尔

英文简称: Vishay Siliconix

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/siliconix/

久芯自营
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描述
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SIR436DP-T1-GE3
SIR436DP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc) 最大功耗: 5W (Ta), 50W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥42.57377

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥42.57377

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SI5857DU-T1-E3
SI5857DU-T1-E3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Tc) 最大功耗: 2.3W(Ta),10.4W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKChipFET仅有一个的 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥20.52638

9000

5-7 工作日

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合计: ¥20.52638

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SIS436DN-T1-GE3
SIS436DN-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A(Tc) 最大功耗: 3.5W (Ta), 27.7W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥134.64551

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥134.64551

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SI5858DU-T1-E3
SI5858DU-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Tc) 最大功耗: 2.3W(Ta),8.3W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKChipFET仅有一个的 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥19.39649

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥19.39649

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SUD45P03-10-E3
SUD45P03-10-E3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Ta) 最大功耗: 4W (Ta), 70W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥41.11070

9000

5-7 工作日

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合计: ¥41.11070

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SI6410DQ-T1-E3
SI6410DQ-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.8A (Ta) 最大功耗: 1.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.63402

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.63402

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SUD50N02-06P-E3
SUD50N02-06P-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 6.8W (Ta), 65W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥98.73521

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥98.73521

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SI6433BDQ-T1-E3
SI6433BDQ-T1-E3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Ta) 最大功耗: 1.05W(Ta) 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥17.60025

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥17.60025

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SUM110N03-04P-E3
SUM110N03-04P-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 110A(Tc) 最大功耗: 3.75W (Ta), 120W (Tc) 供应商设备包装: TO-263(DPak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥87.81292

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥87.81292

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SI6435ADQ-T1-E3
SI6435ADQ-T1-E3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.7A (Ta) 供应商设备包装: 8-TSSOP

¥15.96335

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥15.96335

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SI6459BDQ-T1-E3
SI6459BDQ-T1-E3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.2A(Ta) 最大功耗: 1W(Ta) 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥82.62700

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥82.62700

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SI8439DB-T1-E1
SI8439DB-T1-E1
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 8 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.9A (Ta) 最大功耗: 1.1W(Ta)、2.7W(Tc) 供应商设备包装: 4-Microfoot 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥47.64380

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥47.64380

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SI6463BDQ-T1-E3
SI6463BDQ-T1-E3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.2A (Ta) 供应商设备包装: 8-TSSOP

¥59.92776

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥59.92776

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SI6467BDQ-T1-E3
SI6467BDQ-T1-E3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.8A (Ta) 供应商设备包装: 8-TSSOP

¥148.66777

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥148.66777

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SI7100DN-T1-E3
SI7100DN-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 8 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 52W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥14.74654

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥14.74654

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SI7107DN-T1-E3
SI7107DN-T1-E3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.8A (Ta) 最大功耗: 1.5W(Ta) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥69.12624

9000

5-7 工作日

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合计: ¥69.12624

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SI7120DN-T1-E3
SI7120DN-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.3A (Ta) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8

¥14.08020

9000

5-7 工作日

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合计: ¥14.08020

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SI7136DP-T1-E3
SI7136DP-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 5W (Ta), 39W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥35.69301

9000

5-7 工作日

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合计: ¥35.69301

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SI7138DP-T1-E3
SI7138DP-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 5.4W (Ta), 96W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.99376

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥12.99376

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SI7344DP-T1-E3
SI7344DP-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Ta) 最大功耗: 1.8W(Ta) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.05602

9000

5-7 工作日

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合计: ¥4.05602

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